電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮化鋁陶瓷常(chang)壓燒結致密(mi)(mi)化抗水(shui)性自(zi)擴散系數小,通常(chang)需要熱(re)壓燒結才能制備出高致密(mi)(mi)的氮化鋁陶瓷2.2實(shi)驗(yan)(yan)儀器設備和(he)原料31-322.3實(shi)驗(yan)(yan)方法32-332.3。
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氮化(hua)鋁(lv)陶瓷導熱性能良(liang)好(hao),是集成(cheng)電路基(ji)板和電子封(feng)裝(zhuang)的理想材料。但氮化(hua)鋁(lv)為強共價鍵結(jie)合物,熔點高,自擴散系數(shu)小,通常需要熱壓燒結(jie)才能制備出高致密的氮化(hua)鋁(lv)陶瓷。并(bing)且。
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氮化鋁(AlN)燒(shao)結爐溫(wen)度均勻性批量生(sheng)產(chan)《電子工業專用(yong)設(she)備(bei)》2010年06期加入收藏投稿氮化鋁尤其是在氮化鋁陶瓷批量生(sheng)產(chan)過程中(zhong),陶瓷燒(shao)結爐的溫(wen)度不均勻。
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但近幾年(nian)國際上(shang)很(hen)多國家在重視AlN基片材料研發工作的同時(shi),對氮化(hua)鋁陶瓷燒(shao)結(jie)(jie)爐(lu)的制(zhi)備也越來越重視,由此(ci)孕(yun)育出一些專業的氮化(hua)鋁陶瓷燒(shao)結(jie)(jie)設備制(zhi)造商,尤其是美國和日本。
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本文通過使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作(zuo)(zuo)為添(tian)加劑,研究不同添(tian)加劑對注射成型低溫燒結(jie)AlN提高致密度和(he)熱導(dao)率的作(zuo)(zuo)用。實驗結(jie)果表明(ming),使用Li2CO3,CaF2和(he)Y2O3。
氮化鋁無壓燒結-陳衍春-豆丁網
采用微波高溫燒(shao)結工藝,制備了(le)致密的AlN陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci),并初步探討了(le)微波燒(shao)成環(huan)境對(dui)燒(shao)結體燒(shao)結陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)加工陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)相陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)量塊(kuai)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)英語(yu)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)機械陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)件陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)帽(mao)陶(tao)(tao)瓷(ci)(ci)設備。
注射成型氮化鋁陶瓷低溫燒結的研究-維普網-倉儲式在線作品
氮化(hua)(hua)鋁燒(shao)結級AlN-010-A1S產(chan)品AlN-010-A1S氮化(hua)(hua)鋁粉體經過成(cheng)型燒(shao)結程序制成(cheng):用於射頻IC、高(gao)功率IC、LED晶片載板(ban)(ban),高(gao)導熱電(dian)(dian)子基板(ban)(ban),LED路燈熱電(dian)(dian)燈板(ban)(ban),高(gao)導熱共燒(shao)陶瓷(ci)。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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微(wei)(wei)波(bo)燒(shao)結(jie)設備(bei)主要應用于燒(shao)結(jie)各種高品質的陶瓷、氮化硅、碳化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯等(deng);燒(shao)結(jie)電子陶瓷器件:PZT壓(ya)電陶瓷、壓(ya)敏電阻等(deng)。所謂微(wei)(wei)波(bo)燒(shao)結(jie)或(huo)微(wei)(wei)波(bo)燃燒(shao)合成(cheng)。
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產(chan)品規格:氮化鋁(lv)燒結爐(lu)產(chan)品數量:0.00包(bao)裝說明(ming):價格說明(ming):面議美國ANT公司提供的設(she)備具有全(quan)自動(dong)、閉環控制的特點(dian),保證產(chan)品的成(cheng)品率(lv)和一致性。
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供(gong)應:燒結(jie)(jie)氮化(hua)鋁(lv)(lv)(工藝(yi)技(ji)術資(zi)料配方圖紙參(can)數)光盤(pan)當前價格(ge):200.00元1-BG52096含(han)碳的氮化(hua)鋁(lv)(lv)燒結(jie)(jie)體(ti)以(yi)及(ji)用于(yu)半導(dao)體(ti)制造(zao)檢測設(she)備的陶瓷基材(cai)2-BG。
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一種氮化鋁陶瓷的低溫燒結,包括(kuo)氮化鋁起(qi)始粉(fen)料選擇(ze),添加物的選擇(ze)以及燒結工藝參數的選擇(ze)。其特征在(zai)于:(1)以碳熱還原法及高溫自蔓延合(he)成法制備的AlN粉(fen)體為起(qi)始。
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微波燒結設備紙箱(xiang)刀(dao)具綠碳化硅砂倒角刀(dao)具優質(zhi)刀(dao)具泰珂(ke)洛刀(dao)具導熱/導熱粉(fen)/氮化鋁(lv)(lv)/氮化鋁(lv)(lv)粉(fen)導熱/導熱粉(fen)/氮化鋁(lv)(lv)/氮化鋁(lv)(lv)粉(fen)填充/填充劑/。
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本發(fa)明目的(de)(de)是(shi)提(ti)供一種能保持(chi)10#+〔8〕Ω.cm或更大(da)的(de)(de)體積(ji)電阻率的(de)(de)氮(dan)化(hua)鋁(lv)燒(shao)結體,能保證覆蓋能力,大(da)的(de)(de)輻(fu)射熱量(liang)和用(yong)溫度顯示器測定時的(de)(de)準確度。本發(fa)明的(de)(de)含碳氮(dan)化(hua)。
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一種氮化鋁燒結體(ti),其特征在于包含1-10%(重量)從周期(qi)表Ⅲa族元(yuan)素、Ca、Sr、Ba中選擇的少。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華(hua)順系列陶瓷覆銅(tong)板(ban)(氮化鋁(lv)、氧化鋁(lv)、氮化硅)燒結爐廣泛應用於陶瓷覆銅(tong)板(ban)(DBC0在(zai)保(bao)護氣氛中的(de)(de)(de)鍵合、熱處理等工(gong)序。設(she)備針對(dui)陶瓷復合的(de)(de)(de)特殊工(gong)藝特點設(she)計了專有的(de)(de)(de)。
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含碳的氮化鋁燒結體,用于半導體制造/檢測設備的基材-查詢下載
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文]3.2.5高壓(ya)設備(bei)的高精度控制系(xi)統3.2.6腔體介質材料的選擇(ze)3.2.7加熱(re)源石墨3.3高壓(ya)燒(shao)結腔體設計3.4高壓(ya)燒(shao)結AlN陶瓷制備(bei)工藝流程3.4.1高壓(ya)燒(shao)結AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論文(wen)(wen)天下提供(gong)的(de)<AlN粉(fen)末的(de)制(zhi)備(bei)、低(di)溫(wen)(wen)燒(shao)結及(ji)其注射(she)成形技術的(de)研究;論文(wen)(wen)包括氮化鋁陶瓷材料注射(she)成形低(di)溫(wen)(wen)燒(shao)結復合陶瓷制(zhi)備(bei)低(di)溫(wen)(wen)燒(shao)結注射(she)等其他相關內容論文(wen)(wen)。
氮化鋁陶瓷-博庫網
本發明提供一(yi)種高純度氮化(hua)鋁(lv)燒結(jie)(jie)(jie)體(ti),其在氮化(hua)鋁(lv)燒結(jie)(jie)(jie)體(ti)制造(zao)時(shi),有效地除去原(yuan)料粉末中所含(han)的(de)氧(yang)(yang)化(hua)物,且通過(guo)原(yuan)料粉末中所含(han)的(de)氧(yang)(yang)化(hua)物與燒結(jie)(jie)(jie)助(zhu)劑反應來防(fang)止(zhi)生成的(de)復合(he)氧(yang)(yang)化(hua)。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
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氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書
熱壓燒(shao)結AlN陶瓷,以自蔓(man)延高(gao)溫(wen)合(he)成(SHS)的(de)AlN粉體(ti)為(wei)原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和(he)YF3-B-CaF2系為(wei)燒(shao)結助劑,采(cai)用熱壓燒(shao)結工(gong)藝制(zhi)備AlN陶瓷。結果表(biao)明(ming),采(cai)用燒(shao)結助劑,在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本論文(wen)探索了(le)(le)AlN陶瓷(ci)(ci)的(de)燒(shao)結技術(shu),利(li)用本實驗室原位合成(cheng)技術(shu)合成(cheng)的(de)AlN粉(fen)末制備出了(le)(le)高致(zhi)密,高導熱的(de)AlN陶瓷(ci)(ci)。研究了(le)(le)AlN陶瓷(ci)(ci)的(de)常壓(ya)燒(shao)結技術(shu)。通過熱力(li)學條件(jian)和(he)相圖的(de)。
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熱壓燒結AlN陶瓷-熱壓燒結AlN熱導率顯微結構
研磨設(she)備;壓(ya)制和燒(shao)結設(she)備;磨刷(shua)輪;鉆頭環;電子元器(qi)件;粉體材料;氮化鋁基(ji)板;拋光夾具;主營行業(ye):研磨設(she)備;壓(ya)制和燒(shao)結所在地:上海上海市長寧區天山供應產品(pin):。
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41、含碳的(de)(de)氮(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)燒結體以及(ji)用(yong)于半導體制造檢測設備(bei)的(de)(de)陶瓷(ci)基材收錄氮(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)相關期刊文獻(xian)151項1、海(hai)門建(jian)成氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)陶瓷(ci)基地(di)2、高壓氮(dan)氣中自蔓延燃燒合(he)成氮(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)。
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抗折(zhe)強度高(gao),可以常壓在1600°C燒(shao)結,是一種高(gao)功(gong)率集(ji)成電路基片(pian)的未來使用材料晉盈科(ke)技發展有限公司樂意提供氮化鋁AlN整線設(she)備(bei),研(yan)發生產光傳輸特性優良(liang)的基片(pian)。
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32CN00809591.4半導體(ti)加工設備(bei)(bei)的(de)防腐組(zu)件(jian)及其制造方法(fa)33CN02106821.6用于半導體(ti)和功率(lv)模(mo)件(jian)的(de)絕緣襯底板34CN02115663.8放電等(deng)離子燒結(jie)法(fa)制備(bei)(bei)氮化鋁透明陶(tao)瓷35。