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大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備-陽泉科技網

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有(you)研(yan)究者(zhe)(zhe)以(yi)(yi)Al2O3為添加劑,通過熱壓燒(shao)(shao)結工藝,也(ye)實現了碳(tan)化硅(gui)的致密化,并(bing)認為其機理是液(ye)相(xiang)燒(shao)(shao)結。此外(wai),還有(you)研(yan)究者(zhe)(zhe)分別以(yi)(yi)B4C、B或B與C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3。

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2008年12月29日-西(xi)安理工大(da)學承(cheng)擔的(de)陜西(xi)重大(da)科技創新項目“大(da)直徑碳化(hua)硅晶(jing)體生長工藝及設備(2005ZKC05-02)”于(yu)2008年12月24日通過驗收(shou)。由陜西(xi)省(sheng)科學技術廳會同省(sheng)。

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2006年7月6日-西(xi)安理工大學電子工程系陳(chen)治明教授(shou)承(cheng)擔(dan)的(de)陜西(xi)省重(zhong)大科技創新項(xiang)目(mu)“大直徑碳(tan)化硅(gui)晶(jing)體生(sheng)長工藝及(ji)設備”進展順利,目(mu)前已用該課題組自(zi)行研制、具有自(zi)主知(zhi)識產權。

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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收

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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”

[摘要(yao)]一種制(zhi)造(zao)單(dan)晶(jing)碳化(hua)硅薄膜的(de)設備(bei),包括(kuo)適于接受成(cheng)膜用的(de)SOI基材100的(de)成(cheng)膜利用本發明的(de)方(fang)法(fa)制(zhi)備(bei)碳化(hua)硅納米棒,其(qi)工藝實施簡單(dan)、易于大批量生產、制(zhi)備(bei)溫度低。

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2011年6月14日-適合于采(cai)用“新料(liao)法”生產(chan)工藝冶煉碳化硅(gui)。但是,太西煤灰分(fen)較高,一般在57、選用低“鐵污染”破碎(sui)設備進行加工碳化硅(gui)作為產(chan)品(pin)銷(xiao)售時(shi),要對碳化硅(gui)。

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