多晶硅棒破碎設備說明書下載-中國應用技術網
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多晶硅棒破碎設備_廣搜網
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多晶硅棒破碎方法及設備-查詢下載-中國應用技術網
本發(fa)明公開一種(zhong)多晶(jing)硅棒(bang)(bang)(bang)破(po)碎(sui)方(fang)法及(ji)設(she)備。一種(zhong)多晶(jing)硅棒(bang)(bang)(bang)破(po)碎(sui)方(fang)法,包括(kuo):采用微(wei)波作為(wei)熱源,加熱多晶(jing)硅棒(bang)(bang)(bang);將(jiang)加熱后的多晶(jing)硅棒(bang)(bang)(bang)進行(xing)瞬間(jian)冷卻(que),以使所述(shu)多晶(jing)硅棒(bang)(bang)(bang)獲(huo)得晶(jing)間(jian)應(ying)力。
多晶硅棒熱力學破碎工藝與裝備-查詢下載-中國應用技術網
使其(qi)(qi)升溫500-800℃,然后對熱的(de)多晶硅棒(bang)驟冷,從而獲得晶間(jian)應力使其(qi)(qi)容易破(po)碎。上一篇:汽車(che)裝車(che)撬(qiao)裝發油(you)裝置下一篇:一種(zhong)治療(liao)淋巴(ba)結腫(zhong)大的(de)中(zhong)藥制劑。
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200920232987上下加熱(re)(re)的上置式多(duo)晶硅(gui)爐(lu)907.200920232985一種有效控制熱(re)(re)場(chang)的多(duo)晶硅(gui)鑄錠爐(lu)908.200920148006多(duo)晶硅(gui)棒熱(re)(re)力學破(po)碎裝(zhuang)備909.200920169160多(duo)晶硅(gui)尾氣(qi)。
一種自平衡沖擊多晶硅破碎裝置_廣搜網
2013年8月17日-一種(zhong)自(zi)平(ping)(ping)衡沖(chong)(chong)擊(ji)多(duo)晶(jing)硅破碎裝置(zhi),摘要(yao):一種(zhong)自(zi)平(ping)(ping)衡沖(chong)(chong)擊(ji)多(duo)晶(jing)硅破碎裝置(zhi),涉及一種(zhong)多(duo)晶(jing)硅料破碎設備,主要(yao)由(you)機(ji)(ji)架(jia)、氣動沖(chong)(chong)擊(ji)機(ji)(ji)構和緩沖(chong)(chong)機(ji)(ji)構組成,氣動沖(chong)(chong)擊(ji)機(ji)(ji)構通過。
高效智能全自動機械化多晶硅破碎機可行性分析報告-『硅料,
2012年1月27日-學(xue)士學(xue)位(wei)論(lun)文1引(yin)言多晶硅是半導體工(gong)業、電子(zi)從還原爐成形(xing)完成后的(de)硅棒首先要進行破碎,目前0低速級輸(shu)出軸(zhou)所需有效(xiao)功率(lv)傳動裝置的(de)總效(xiao)率(lv)。
多晶硅破碎機設計-豆丁網
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多晶硅破碎單根硅棒上料機械手其他太陽能設備-中國供應商
多(duo)晶硅沖擊破(po)碎錘(chui)(chui)頭錘(chui)(chui)桿摘要:太陽(yang)能級多(duo)晶硅純度(du)為"6個9",該(gai)裝置(zhi)采用錘(chui)(chui)式沖擊破(po)碎,錘(chui)(chui)頭與硅棒(bang)接觸7楊維(wei)菊;美國太陽(yang)能熱利用考察及(ji)思考[。
多晶硅破碎篩分機結構設計與分析-《沈陽理工大學學報》2010年06期
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一(yi)種將多(duo)晶(jing)硅破(po)(po)碎為希望大(da)小的(de)塊,并且齒的(de)一(yi)部分產生缺損和磨損等時(shi),能夠僅更換該齒的(de)多(duo)晶(jing)硅的(de)破(po)(po)碎裝置及多(duo)晶(jing)硅破(po)(po)碎物的(de)制造方法。所(suo)述多(duo)晶(jing)硅的(de)破(po)(po)碎裝置,在圍(wei)繞(rao)平行。
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多(duo)晶硅破碎單根硅棒上(shang)料機(ji)械手技術特點:●防(fang)(fang)爆:全氣動操作(zuo),滿足(zu)還原廠房防(fang)(fang)爆要(yao)求(qiu);●高效:一次定位(wei),連續上(shang)料;●快速:1。
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多晶硅(gui)拆(chai)棒(bang)(bang)(bang)裝(zhuang)置產品簡介:本產品特別針(zhen)對多晶硅(gui)還原爐拆(chai)棒(bang)(bang)(bang)、后(hou)處理轉移硅(gui)棒(bang)(bang)(bang)所設計(ji),設計(ji)充分考慮(lv)到硅(gui)棒(bang)(bang)(bang)規格(ge)、品質、潔(jie)凈、防爆、失氣等嚴格(ge)要求(qiu),采用(yong)無(wu)電源(yuan)全。
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59-BG102058多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)棒60201120256530多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)破(po)碎(sui)裝置61201120421115多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)還原157201120150251多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)鑄(zhu)錠(ding)爐熱(re)場158201120330419多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)尾(wei)氣噴淋塔159-BG。
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研(yan)發新(xin)型反(fan)應器采用(yong)(yong)SiH4熱分(fen)解生產粒狀多晶硅Asimi從電極上取下硅棒時不包括任何小于20mm的部(bu)分(fen)41加(jia)熱破碎(sui)裝(zhuang)(zhuang)置加(jia)熱破碎(sui)裝(zhuang)(zhuang)置采用(yong)(yong)由俄羅斯設計的加(jia)熱破碎(sui)。
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本(ben)發明(ming)涉及能夠靈活地對粉碎(sui)的(de)多晶(jing)硅(gui)(gui)實施分(fen)級的(de)裝置(zhi),其特(te)征在于包括機械(xie)篩(shai)分(fen)系(xi)統(tong)和光電(dian)分(fen)級系(xi)統(tong),其中通過機械(xie)篩(shai)分(fen)系(xi)統(tong)將多晶(jing)碎(sui)片(pian)分(fen)離成(cheng)細(xi)的(de)硅(gui)(gui)組份和剩余的(de)硅(gui)(gui)組份,并。
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單晶硅頭尾料、邊皮料破(po)碎(sui)機單晶硅專用(yong)(yong)破(po)碎(sui)機、適用(yong)(yong)于單晶硅頭尾料、邊皮料破(po)碎(sui)。純(chun)氣動破(po)碎(sui)動力機構,破(po)碎(sui)效果優(you)異。采用(yong)(yong)專用(yong)(yong)材料,不會對(dui)硅料造(zao)成二次污染。在。
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本實用新型(xing)公開了一種多(duo)晶(jing)硅破(po)碎凈化平(ping)臺(tai)裝置,所述(shu)裝置包括破(po)碎臺(tai)面、過濾筒、漏斗集料器、脈沖反(fan)吹裝置和集料抽屜(ti),所述(shu)破(po)碎臺(tai)面用于承載待加工的多(duo)晶(jing)硅,在所述(shu)破(po)碎。
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多晶硅破(po)碎(sui)機。多晶硅打(da)碎(sui)機。信(xin)息當(dang)前價(jia)格:≥1:350000.00元/件(jian)小起訂:--供貨總量:200件(jian)發貨期(qi):7天所在地:中國江蘇常州市(shi)。
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半導(dao)體硅(gui)片(pian)、碎(sui)硅(gui)片(pian)、電池片(pian)碎(sui)片(pian)、高(gao)阻/低(di)阻硅(gui)片(pian)、N/P型(xing)硅(gui)料(liao)(liao)(liao)、太(tai)陽能硅(gui)料(liao)(liao)(liao)、頭尾料(liao)(liao)(liao)、邊皮(pi)料(liao)(liao)(liao)、廢棒料(liao)(liao)(liao)、重(zhong)摻料(liao)(liao)(liao)、方(fang)形(xing)棒、圓形(xing)棒、單晶(jing)硅(gui)、原(yuan)生多晶(jing)硅(gui)等一切(qie)硅(gui)。
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5硅(gui)(gui)烷熱分解制備(bei)多晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)191小結(jie)193習題194參考文獻(xian)195光盤內(nei)容介紹(shao)目錄如(ru)下:保護(hu)裝置43加(jia)工(gong)超大(da)直徑(jing)單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)圓(yuan)棒與多晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)鑄錠的數(shu)控帶鋸床44一(yi)種多晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)破碎(sui)。