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16高抑(yi)煙型阻(zu)燃劑納米(mi)氫(qing)氧化鎂(mei)的制備(bei)(bei)(bei)及表(biao)面處理新方法(fa)17管(guan)式熱法(fa)煉鎂(mei)生產工藝及其設備(bei)(bei)(bei)18過氧化鎂(mei)的制備(bei)(bei)(bei)方法(fa)19活性氫(qing)氧化鎂(mei)的調整方法(fa)20間接輕燒。
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本(ben)發明涉(she)及一種高(gao)溫超導材(cai)料(liao)氧化鎂單(dan)晶的(de)生產(chan)方法(fa)和(he)制備設備,本(ben)發明的(de)方法(fa)是(shi)通過以(yi)下步驟實現的(de):原(yuan)料(liao)制作(zuo)(1):制品處理(2);通過在周邊使用MGO96%以(yi)上重質氧化鎂材(cai)料(liao)。
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2005年3月3日-二(er)、單(dan)晶氧(yang)化鎂常(chang)規(gui)生長技術單(dan)晶氧(yang)化鎂一(yi)般是在大(da)功率,三相電(dian)弧(hu)爐熔制,這種方法的優點(dian):生產量大(da),設(she)備結構簡單(dan)。缺點(dian)是:由于(yu)石墨電(dian)極在熔制過(guo)程(cheng)中進入。
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47利用(yong)硼泥生產氧(yang)化(hua)鎂單晶的(de)(de)方(fang)法(fa)(fa)48用(yong)TiO<sub;2</sub;超細粉焰熔法(fa)(fa)人工合成金紅石(shi)單晶的(de)(de)方(fang)法(fa)(fa)和(he)設備49一(yi)種(zhong)制備金屬合金粉末的(de)(de)方(fang)法(fa)(fa)50硼酸鉍晶體(ti)的(de)(de)坩堝下(xia)降法(fa)(fa)。
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9、低氧(yang)(yang)化(hua)鎂絕(jue)熱(re)材(cai)料及其生(sheng)產(chan)方(fang)(fang)法10、低氧(yang)(yang)化(hua)鎂鎂硅鐵產(chan)品的生(sheng)產(chan)工(gong)藝和設備1125、利(li)用(yong)(yong)硼泥生(sheng)產(chan)氧(yang)(yang)化(hua)鎂單晶(jing)的方(fang)(fang)法26、利(li)用(yong)(yong)余熱(re)爐內焙燒礦(kuang)石制取電熔氧(yang)(yang)化(hua)鎂。
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13、硅(gui)(gui)基納米粉生(sheng)(sheng)產線輸粉,收粉設(she)備(bei)14、硅(gui)(gui)片(pian)和生(sheng)(sheng)產單晶硅(gui)(gui)的方法15、硅(gui)(gui)微粉和鋯55200310123644.1用(yong)礦熱爐生(sheng)(sheng)產低氧化鎂稀土(tu)鈣(gai)鎂硅(gui)(gui)鐵(tie)合金的冶煉工藝56。
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2011年11月28日-同步(bu)逆位(wei)(wei)煅燒爐(lu)生產高(gao)活性氧化鎂張國臣,李新平,張娟(juan),韓艷敏(1.焦作市霧神化工(gong)機(ji)械有(you)限公司(si);2.焦作市技師學(xue)院)摘要簡(jian)要介紹了(le)同步(bu)逆位(wei)(wei)煅燒爐(lu)的原理(li)。
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.0爐外(wai)預熱分解制取(qu)電(dian)熔(rong)氧(yang)化鎂(mei)(mei)工藝及(ji)其設備1402107661.8氨全循環法生產氫(qing)氧(yang)化鎂(mei)(mei)和氧(yang)化鎂(mei)(mei)114200680009667.1單晶(jing)氧(yang)化鎂(mei)(mei)及(ji)其制造方法115。
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硅(gui)鈣鋇(bei)鎂復合脫氧劑的生產工藝及所使(shi)用的設備(0012)氯氧鎂、硅(gui)鎂水泥托盤(0013(0035)氧化(hua)(hua)鎂單晶蒸鍍材(cai)料及其制造方法(0036)氫(qing)氧化(hua)(hua)鎂疏(shu)松型(xing)納米(mi)粒子塊(kuai)體阻燃劑。
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172利用硼泥生產氧化鎂單(dan)晶的方法251一種氧化鎂制備方法013一種制取改性(xing)氫080低(di)氧化鎂鎂硅鐵產品的生產工藝和設(she)備196真空(kong)煤(mei)炭(tan)熱還原氧化鎂礦提(ti)取金屬鎂。
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一(yi)種利用硼(peng)泥(ni)(ni)生產氧(yang)化鎂單晶的方法,將硼(peng)泥(ni)(ni)經300-600℃輕(qing)燒處理后,以1∶10-20的固液比,液體為(wei)(wei)水(shui),在壓力罐中混合,通入(ru)來自石灰窯(yao)的二氧(yang)化碳氣,濃度為(wei)(wei)10-35%,。
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商品名稱:氧化鎂單晶生產資料(圖文版)剩(sheng)余時(shi)間:開始時(shi)間:2014-09-2117:03結束(shu)時(shi)間:2014-10-0516:54保修(xiu):無(wu)保修(xiu)發票:無(wu)發票付款方式(shi):。
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在單晶(jing)基板(ban)上(shang)形成(cheng)第三(san)族氮化物外延(yan)層方法(fa)、制(zhi)品及設備0008)GaN單晶(jing)生長方法(fa)、GaN商品名稱(cheng):基板(ban)單晶(jing)技(ji)術(shu)單晶(jing)氮化鎵單晶(jing)基板(ban)半導(dao)體氧化鎂生產資料剩余時間:。
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006一種(zhong)化(hua)(hua)學機(ji)械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光單晶(jing)(jing)氧(yang)化(hua)(hua)鎂基片(pian)用的(de)拋(pao)(pao)(pao)(pao)光液[摘要]本技(ji)術一種(zhong)化(hua)(hua)學機(ji)械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光單晶(jing)(jing)氧(yang)化(hua)(hua)鎂基片(pian)用的(de)拋(pao)(pao)(pao)(pao)光液,屬于化(hua)(hua)學機(ji)械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光用的(de)拋(pao)(pao)(pao)(pao)光液,特別(bie)涉(she)及(ji)化(hua)(hua)學機(ji)械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光單晶(jing)(jing)。
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