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2005年3月3日-二、單(dan)晶(jing)氧化(hua)鎂常規生長技術單(dan)晶(jing)氧化(hua)鎂一般(ban)是(shi)在大功率,三相電弧(hu)爐(lu)熔(rong)制,這(zhe)種(zhong)方法的優點:生產量大,設備結構(gou)簡單(dan)。缺點是(shi):由于石墨電極在熔(rong)制過程中進入。

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9、低氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)(mei)絕熱(re)材料(liao)及其生(sheng)產(chan)方法(fa)10、低氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)(mei)鎂(mei)(mei)(mei)硅鐵產(chan)品(pin)的生(sheng)產(chan)工藝和設備1125、利(li)用硼泥生(sheng)產(chan)氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)(mei)單晶的方法(fa)26、利(li)用余(yu)熱(re)爐內焙燒礦(kuang)石(shi)制取(qu)電(dian)熔氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)(mei)。

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13、硅(gui)(gui)基(ji)納米粉生(sheng)產(chan)線(xian)輸(shu)粉,收粉設備(bei)14、硅(gui)(gui)片(pian)和(he)生(sheng)產(chan)單晶硅(gui)(gui)的方(fang)法15、硅(gui)(gui)微(wei)粉和(he)鋯(gao)55200310123644.1用礦熱爐生(sheng)產(chan)低氧化鎂(mei)稀(xi)土鈣鎂(mei)硅(gui)(gui)鐵合金(jin)的冶(ye)煉(lian)工藝56。

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