金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金(jin)屬氧化物碳化硅避雷器電力電纜電壓(ya)響應過沖保(bao)護性能殘(can)壓(ya)測試(shi)回路相近似(si)電流(liu)脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖(chong)激光退火(huo)納米碳(tan)化硅的光致(zhi)發光于威(wei),何杰(jie),孫運濤,韓理,在電流(liu)激發方(fang)面存在較大困難,因此對(dui)碳(tan)化硅發光材(cai)料的制備及發光特性進行分析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河(he)北大(da)學(xue)碩士學(xue)位論文納米(mi)碳(tan)化硅的(de)脈沖(chong)激光(guang)燒(shao)蝕沉積及其光(guang)學(xue)特性研究姓(xing)名:孫運濤(JFET,可達到電流(liu)水平400mA/mm,電導的(de)指標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月(yue)9日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳化(hua)硅功率(lv)雙極與碳化(hua)硅功率(lv)MOS相比,對3000V以上的阻(zu)斷(duan)電壓,其通態電流密度可以高(gao)出幾個(ge)。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖(tu)文]2007年5月28日-從而(er)具(ju)有(you)非常高(gao)的(de)(de)(de)浪涌電流承受能力和(he)穩(wen)定的(de)(de)(de)過壓中的(de)(de)(de)PFC級應用(yong)(yong)在瞬時脈沖和(he)過壓狀(zhuang)態下具(ju)有(you)更高(gao)利用(yong)(yong)具(ju)有(you)獨特性(xing)能的(de)(de)(de)碳化硅作(zuo)為器(qi)件材料,能制造出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻(pin)脈沖(chong)電(dian)(dian)鍍Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)(xing)耐磨性(xing)(xing)陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化(hua)結(jie)構研究(jiu)了電(dian)(dian)源頻(pin)率、占空比、陰(yin)極(ji)(ji)電(dian)(dian)流密度及鍍液中鈷1袁逖;高頻(pin)脈沖(chong)電(dian)(dian)沉(chen)積鎳鈷碳化(hua)硅鍍層(ceng)耐蝕性(xing)(xing)耐磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長的138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜(lan)產生的幾十萬伏、2萬安以上的電(dian)(dian)流、波頭時間約50ns的脈沖(chong)(chong)。被試品為(wei)9kV金屬氧化物及碳(tan)化硅避(bi)雷(lei)(lei)器。避(bi)雷(lei)(lei)器的電(dian)(dian)壓響應(ying)包括陡的過沖(chong)(chong)電(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美(mei)國陸軍(jun)研究人員正在向行業尋(xun)求開發進的(de)碳(tan)化硅(SiC)半導體功率電子技(ji)術(shu)種高等(deng)級(ji)配置的(de)高壓(ya)開關(guan),脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子(zi)脈沖激光(guang)(guang)(guang)退火技術制備了(le)納米晶態碳(tan)化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對薄膜(mo)的光(guang)(guang)(guang)致發光(guang)(guang)(guang)(PL)特性進行(xing)了(le)分析。結果(guo)表明,納米SiC薄膜(mo)的光(guang)(guang)(guang)致發光(guang)(guang)(guang)表現為300-600nm.范圍(wei)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為驅(qu)動(dong)(dong)脈沖(chong)電壓,驅(qu)動(dong)(dong)電流為脈沖(chong)電流.V為驅(qu)動(dong)(dong)脈沖(chong)電壓,驅(qu)動(dong)(dong)電流為脈沖(chong)電流.收(shou)藏(zang)此頁推(tui)薦給好友09-23[技術(shu)資訊]碳化硅在高溫范圍(wei)內具(ju)有低開(kai)關損耗的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖(tu)文]這種改進的(de)過壓和浪涌(yong)電(dian)流能力可(ke)以(yi)使二極(ji)管的(de)壓力減小(xiao),使應用(yong)(yong)具有更高的(de)可(ke)靠性。SiC肖特(te)(te)基二極(ji)管——適(shi)合各種供電(dian)條件的(de)解決方案利用(yong)(yong)具有獨特(te)(te)性能的(de)碳化(hua)硅作為器件。
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論文天下提供的(de)<高(gao)頻脈沖電(dian)沉積鎳(nie)鈷碳(tan)化硅鍍層(ceng)耐蝕性(xing)(xing)耐磨性(xing)(xing)的(de)研究;論文包括高(gao)頻脈沖電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐蝕性(xing)(xing)耐磨性(xing)(xing)陽極極化結構等(deng)其他相(xiang)關內容論文。
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諸暨市特耐工程陶瓷有限公司(si)碳(tan)化硅脈沖類(lei)型:脫(tuo)硫除(chu)塵(chen)器林格曼黑度:3級品牌:帕特納型號:碳(tan)化硅噴嘴(zui)脫(tuo)硫率:97(%)除(chu)塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環(huan)球貿易(yi)網為您提(ti)供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月(yue)17日-0405SC-2200M碳化(hua)硅(gui)晶體管,射(she)頻(pin)峰(feng)值(zhi)功率(lv)達2200瓦(wa),可(ke)用(yong)于大功率(lv)超高(gao)頻(pin)脈沖(chong)系統的另(ling)一些優點(dian)包(bao)括(kuo)簡化(hua)阻抗匹配,125伏(fu)的操縱電壓,低電導電流,高(gao)峰(feng)值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度(du)脈沖方法制備碳(tan)/碳(tan)化硅復合(he)材料(liao)界面的微觀結構與(yu)性能研(yan)(yan)究袁明,黃政仁,董(dong)紹明,朱云洲,江東亮中(zhong)國(guo)科(ke)學院上海硅酸(suan)鹽研(yan)(yan)究所,上海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大(da)學(xue)(xue)碩士(shi)(shi)學(xue)(xue)位論文(wen)納米碳(tan)化硅的脈(mo)(mo)沖(chong)激(ji)光燒蝕沉積及(ji)其光學(xue)(xue)特性研(yan)究姓名(ming):孫運濤(tao)申請學(xue)(xue)位級別:碩士(shi)(shi)專(zhuan)業:光學(xue)(xue)指導教(jiao)師:于威20030101摘要本工作采用脈(mo)(mo)沖(chong)激(ji)光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究人(ren)員正在向(xiang)行業尋求開發進(jin)的(de)碳化硅(gui)(SiC)半導(dao)體功率電子技術(shu)種高等(deng)級配置的(de)高壓(ya)開關(guan),脈沖(chong)電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流(liu)峰值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
冀州市復合材料有限公(gong)司(銷售部)提供優質FGD脈沖(chong)懸浮(fu)泵碳化硅噴嘴,歡迎廣(guang)大(da)客(ke)戶前來咨詢(xun),聯系人(ren):樊德奎,手機號:15803286128。
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[圖(tu)文]從而具有非常高的浪涌電(dian)流(liu)承受能(neng)力(li)和(he)穩定(ding)的過(guo)壓特性。網中的PFC級(ji)應用(yong)(yong)在瞬時脈沖(chong)和(he)過(guo)壓狀態下具有更高的利用(yong)(yong)具有獨特性能(neng)的碳(tan)化硅作為(wei)器(qi)件(jian)材料,能(neng)制造出接近(jin)。
FGD脈沖懸浮泵碳化硅噴嘴脫硫除塵設備-中國供應商
通(tong)過激(ji)光(guang)脈沖(chong)波形(xing)與光(guang)電(dian)流(liu)脈沖(chong)波形(xing)的(de)(de)比較,估(gu)算出2種光(guang)導開關的(de)(de)載流(liu)子壽命和載流(liu)子的(de)(de)基(ji)礎上改進(jin)設(she)計(ji),研制出了(le)工作(zuo)電(dian)壓超過10kV、工作(zuo)電(dian)流(liu)超過90A的(de)(de)碳化硅光(guang)導。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-處理器/DSP-電子工程專輯
鄭州嵩陽機(ji)械(xie)有(you)限公司(si)提(ti)供(gong)多種型號的碳(tan)化硅脈(mo)沖(chong)除塵(chen)(chen)設備(bei),廠家直接供(gong)貨價格優勢(shi)明顯,本公司(si)提(ti)供(gong)的碳(tan)化硅脈(mo)沖(chong)除塵(chen)(chen)設備(bei),高品質♂碳(tan)化硅脈(mo)沖(chong)除塵(chen)(chen)設備(bei)♀只有(you)嵩陽機(ji)械(xie)。
壓敏電阻器_百度百科
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年(nian)9月26日-這(zhe)些(xie)測試(shi)包括使用1祍脈沖(chong),開(kai)關時間比為1000,在“開(kai)”狀態(tai)驅動電流是100本(ben)文鏈接(jie):碳化(hua)硅電子:全球協會提倡SiC高頻PI:/news。
碳化硅脈沖除塵設備_碳化硅脈沖除塵設備價格_碳化硅脈沖除塵
[圖文]GaN器件(jian)包含五項重要特征:高(gao)(gao)(gao)介電(dian)(dian)(dian)強(qiang)度(du)(du)、高(gao)(gao)(gao)工作溫度(du)(du)、大電(dian)(dian)(dian)流(liu)密(mi)度(du)(du)、高(gao)(gao)(gao)開關(guan)速度(du)(du),如何在(zai)高(gao)(gao)(gao)效脈沖跳頻模式下選擇輸出濾波(1)智能(neng)電(dian)(dian)(dian)視(shi)前進路上(shang)的三(san)座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增強(qiang)型碳(tan)化硅縱向(xiang)結(jie)型場效應晶體管功率(lv)模塊《電力(li)電子》2011年第4期開關(guan)測試采用了(le)標準的(de)雙(shuang)脈沖(chong)感性負載電路,在(zai)600V、100A、溫(wen)度分別為25℃和150。
碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PIN二極管-產業縱橫-行業資訊-
阿里巴(ba)巴(ba)大量(liang)供應(ying)(ying)(ying)碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)超細磨碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)專用(yong)磨碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)微粉磨脈沖(chong)除(chu)塵(chen)器-金屬硅(gui)磨粉,,這里云集了眾多的供應(ying)(ying)(ying)商(shang)(shang),采購商(shang)(shang),制造(zao)商(shang)(shang)。這里大量(liang)供應(ying)(ying)(ying)碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)超細磨碳化(hua)(hua)(hua)硅(gui)專用(yong)磨。
硅氮化鎵碳化硅如何為功率設計尋找的工藝和供應商(2)-
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年(nian)4月16日-既能(neng)滿足(zu)電子(zi)模塊(kuai)的正常(chang)工作電流(圖1中的If),也能(neng)承受(shou)ISO7637-2脈沖[新品快訊]美高森美推(tui)出碳(tan)化硅(SiC)材料和技術(shu)的全(quan)新1200V肖特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石墨烯碳化硅背景資料老孟股(gu)票具有電(dian)荷(he)這種性質,電(dian)荷(he)的傳導能(neng)夠(gou)形成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻照技術在SiC基底上外延石墨烯是我們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電流互(hu)(hu)感(gan)器(qi)保護用于保護電流互(hu)(hu)感(gan)器(qi)即CTPU.典型(xing)應(ying)用于互(hu)(hu)感(gan)器(qi)二次過(guo)壓保護,此類電阻片的(de)靈活性使其得(de)到廣范應(ying)用,可用于熒光燈的(de)尖(jian)峰脈(mo)沖抑制(直徑為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從(cong)損壞的(de)避(bi)雷器閥片來看(kan),這些(xie)避(bi)雷器的(de)閥片所用的(de)碳(tan)化硅比較松散,多(duo)半是這根(gen)電(dian)線有(you)脈沖電(dian)流渡(du)過,這時,測定在配(pei)電(dian)線路的(de)導(dao)體上感應(ying)的(de)電(dian)壓波形。相應(ying)的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月21日-尤其是碳化(hua)硅微粉磨的生產加(jia)工中,粉塵外泄問題為嚴(yan)重(zhong),上海卓亞礦山(shan)機(ji)械有限公司研(yan)究(jiu)者(zhe)為其進(jin)行相應的分析與設備(bei)的改造實驗,終得出(chu)使用脈沖除塵器的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文(wen)]2011年8月4日-現在還有許多公司在用不(bu)同(tong)的(de)基底(如藍寶(bao)石和碳化硅(gui))生(sheng)產GaNLED,這些LED該電路的(de)基本功能(neng)是(shi)產生(sheng)低頻、快速、大(da)功率驅(qu)動電流脈(mo)沖信(xin)號,輸出脈(mo)沖的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月(yue)22日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖(chong)輸出功率(lv)400W的(de)(de)報道(dao)[;。2.2碳化硅功率(lv)雙極開(kai)發碳化硅BJT的(de)(de)主要(yao)問題是提高電流增益。早期(qi)6H-SiCBJT的(de)(de)電流增益只有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式(shi)除塵器,分號機,粉(fen)(fen)碎(sui)機,氣(qi)流磨,青(qing)島精華PZ粉(fen)(fen)碎(sui)機的用(yong)途及適應(ying)范(fan)圍:化工等(deng)物(wu)科的粉(fen)(fen)碎(sui),尤其(qi)適用(yong)于碳化硅、剛玉、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾石(shi)等(deng)物(wu)科的粉(fen)(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅(gui)顆粒化學(xue)鍍鎳對鐵基復合材料(liao)(liao)性能的(de)影響張躍波1,宗亞平1,曹(cao)新(xin)建1,張龍(long)21.東北大學(xue)材料(liao)(liao)各(ge)向(xiang)異性與(yu)織構教育部實驗(yan)室沈(shen)陽1108192.金(jin)策工(gong)業綜合。