金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化物碳(tan)化硅避(bi)雷器電(dian)力電(dian)纜(lan)電(dian)壓響應(ying)過沖保(bao)護性(xing)能殘壓測(ce)試回路相近(jin)似電(dian)流(liu)脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激(ji)光(guang)退火納米碳化硅的(de)光(guang)致發(fa)(fa)光(guang)于威,何(he)杰,孫運濤,韓理,在電流激(ji)發(fa)(fa)方面存在較大困難,因此(ci)對碳化硅發(fa)(fa)光(guang)材料的(de)制備及(ji)發(fa)(fa)光(guang)特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北(bei)大學(xue)碩士學(xue)位(wei)論文納米(mi)碳(tan)化(hua)硅的(de)(de)(de)脈沖激光(guang)燒蝕(shi)沉積(ji)及(ji)其光(guang)學(xue)特性研(yan)究姓名(ming):孫運(yun)濤(tao)(JFET,可達到(dao)電流水平400mA/mm,電導(dao)的(de)(de)(de)指標lOOmS/mm)以及(ji)用6H—SiC制作的(de)(de)(de)金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的(de)報道[;。2.2碳(tan)化(hua)(hua)硅功率(lv)雙極與碳(tan)化(hua)(hua)硅功率(lv)MOS相比(bi),對3000V以上的(de)阻斷電壓,其通態(tai)電流(liu)密(mi)度可以高出幾(ji)個(ge)。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文(wen)]2007年5月28日-從而具(ju)有(you)(you)非常高的(de)浪涌電流承受能(neng)力和穩定的(de)過壓(ya)中的(de)PFC級應用(yong)在(zai)瞬(shun)時脈沖和過壓(ya)狀態下具(ju)有(you)(you)更高利用(yong)具(ju)有(you)(you)獨(du)特性(xing)能(neng)的(de)碳化硅作為(wei)器件材(cai)料,能(neng)制造出(chu)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖(chong)(chong)電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)磨(mo)性(xing)(xing)陽極(ji)極(ji)化結構研(yan)究了(le)電(dian)源頻率、占空(kong)比、陰(yin)極(ji)電(dian)流(liu)密度及鍍液中鈷(gu)1袁逖(ti);高頻脈沖(chong)(chong)電(dian)沉積鎳鈷(gu)碳化硅鍍層(ceng)耐(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)磨(mo)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正(zheng)采用60m長的(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產(chan)生(sheng)的(de)幾十萬伏、2萬安(an)以上(shang)的(de)電(dian)(dian)流(liu)、波頭時(shi)間約50ns的(de)脈沖。被試(shi)品為9kV金屬氧化(hua)物(wu)及碳化(hua)硅避(bi)雷器。避(bi)雷器的(de)電(dian)(dian)壓響應包括陡的(de)過沖電(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年(nian)1月30日-美國陸軍研(yan)究人員正在(zai)向行業尋求開(kai)發進的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子技(ji)術種高等級(ji)配置的高壓(ya)開(kai)關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小(xiao)電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流(liu)峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子脈沖激光(guang)(guang)退火技(ji)術制備(bei)了納米晶(jing)態(tai)碳化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的光(guang)(guang)致發(fa)光(guang)(guang)(PL)特性進行了分析(xi)。結果表明,納米SiC薄(bo)膜(mo)的光(guang)(guang)致發(fa)光(guang)(guang)表現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文(wen)]V為驅動(dong)(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓,驅動(dong)(dong)電(dian)(dian)(dian)(dian)流為脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)流.V為驅動(dong)(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓,驅動(dong)(dong)電(dian)(dian)(dian)(dian)流為脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)流.收藏此頁(ye)推薦給好友09-23[技術資訊]碳化硅在高溫范圍內具(ju)有低開關損耗的(de)MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文]這種改進的(de)(de)(de)過(guo)壓和浪涌電流能力(li)可(ke)以使二極管的(de)(de)(de)壓力(li)減(jian)小,使應用具有更高的(de)(de)(de)可(ke)靠性。SiC肖特(te)基二極管——適(shi)合各種供電條件的(de)(de)(de)解決方(fang)案利用具有獨特(te)性能的(de)(de)(de)碳(tan)化(hua)硅作為器件。
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論文天(tian)下提供的<高頻(pin)脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍(du)層耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)性(xing)的研究;論文包括(kuo)高頻(pin)脈沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕(shi)性(xing)耐磨(mo)性(xing)陽極極化結構等(deng)其(qi)他相(xiang)關內(nei)容(rong)論文。
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2010年8月17日-0405SC-2200M碳化硅晶(jing)體管(guan),射(she)頻(pin)峰(feng)值功(gong)率達2200瓦(wa),可用于大功(gong)率超(chao)高頻(pin)脈沖系統的另(ling)一些優點包括簡化阻抗匹配(pei),125伏的操縱電壓,低電導電流,高峰(feng)值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖(chong)方(fang)法制備碳(tan)(tan)/碳(tan)(tan)化硅(gui)復合材料界面的微觀結構與性能研究袁明,黃政仁,董紹明,朱云(yun)洲,江東亮中國科學院(yuan)上海硅(gui)酸鹽研究所,上海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)(xue)碩(shuo)士學(xue)(xue)位(wei)論文(wen)納(na)米碳(tan)化硅的脈(mo)沖(chong)激(ji)光(guang)燒蝕(shi)沉(chen)積及其光(guang)學(xue)(xue)特(te)性研(yan)究姓名(ming):孫運濤申請學(xue)(xue)位(wei)級別(bie):碩(shuo)士專(zhuan)業:光(guang)學(xue)(xue)指導教師:于威20030101摘要本工作采(cai)用脈(mo)沖(chong)激(ji)光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸軍(jun)研究(jiu)人員(yuan)正在向行業尋(xun)求開發進的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子技術種高(gao)等級配置的高(gao)壓(ya)開關,脈沖電(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)壓(ya)10000V,電(dian)流峰值30A,。
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[圖文]從而具有(you)非常高的(de)(de)浪涌電流承受能(neng)力和穩定(ding)的(de)(de)過(guo)(guo)壓特(te)性(xing)。網中的(de)(de)PFC級(ji)應(ying)用在(zai)瞬時(shi)脈沖和過(guo)(guo)壓狀態下具有(you)更高的(de)(de)利(li)用具有(you)獨特(te)性(xing)能(neng)的(de)(de)碳化硅作為器(qi)件材料,能(neng)制造出接近。
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通(tong)過(guo)激光(guang)脈沖(chong)波(bo)形與光(guang)電流(liu)(liu)(liu)脈沖(chong)波(bo)形的(de)比較,估算出2種(zhong)光(guang)導開關(guan)的(de)載流(liu)(liu)(liu)子壽(shou)命和(he)載流(liu)(liu)(liu)子的(de)基礎(chu)上改進(jin)設計(ji),研制出了工作電壓(ya)超過(guo)10kV、工作電流(liu)(liu)(liu)超過(guo)90A的(de)碳(tan)化硅光(guang)導。
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鄭州嵩(song)陽(yang)機(ji)械有限(xian)公(gong)司(si)提供(gong)多種(zhong)型號的碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖除塵設備(bei),廠家直接供(gong)貨價格優勢明顯,本公(gong)司(si)提供(gong)的碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖除塵設備(bei),高品質♂碳(tan)(tan)化硅脈(mo)沖除塵設備(bei)♀只有嵩(song)陽(yang)機(ji)械。
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銷(xiao)售本(ben)產(chan)品設備(bei)的公(gong)司位于河(he)南(nan)鄭(zheng)州,碳(tan)化(hua)硅(gui)袋式脈沖(chong)除(chu)塵(chen)器技術(shu),脈沖(chong)除(chu)塵(chen)設備(bei)美化(hua)高手河(he)南(nan)嵩陽機械有限公(gong)司是碳(tan)化(hua)硅(gui)袋式脈沖(chong)除(chu)塵(chen)器,本(ben)公(gong)司相關產(chan)品<ahref=。
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2008年9月26日(ri)-這些測試包括使用1祍脈沖,開關時間比為1000,在(zai)“開”狀態驅動(dong)電流是100本(ben)文鏈接(jie):碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖(tu)文(wen)]GaN器件(jian)包含五項重要(yao)特征:高(gao)介電(dian)強度(du)、高(gao)工作溫度(du)、大電(dian)流密度(du)、高(gao)開關速度(du),如何在(zai)高(gao)效脈沖跳頻模式下選擇輸出濾波(1)智能電(dian)視(shi)前進路上的三座(zuo)。
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1200V增強型(xing)碳(tan)化硅縱向結型(xing)場效應晶體管功率模(mo)塊《電(dian)力電(dian)子》2011年(nian)第4期開關測試采(cai)用(yong)了標準(zhun)的(de)雙脈沖感性負(fu)載電(dian)路(lu),在600V、100A、溫度分別為25℃和150。
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[圖文(wen)]2012年4月(yue)16日-既能滿足電子模塊的(de)正常工(gong)作電流(圖1中的(de)If),也能承受ISO7637-2脈沖[新(xin)品快訊]美高森美推(tui)出碳化硅(SiC)材料和技術的(de)全新(xin)1200V肖(xiao)特(te)基(ji)二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽:600509石(shi)墨烯(xi)碳(tan)化硅背(bei)景資料老(lao)孟(meng)股(gu)票具有(you)電荷(he)這(zhe)種性質,電荷(he)的傳導能夠(gou)形成電流并成為(wei)電子采用脈沖(chong)電子輻(fu)照技術在SiC基底上外(wai)延石(shi)墨烯(xi)是(shi)我們(men)。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電(dian)流互感(gan)(gan)器保護用于(yu)保護電(dian)流互感(gan)(gan)器即(ji)CTPU.典(dian)型應用于(yu)互感(gan)(gan)器二(er)次過(guo)壓保護,此(ci)類電(dian)阻(zu)片的(de)靈(ling)活性使(shi)其得(de)到廣范應用,可(ke)用于(yu)熒(ying)光燈的(de)尖(jian)峰脈沖抑制(直徑為(wei)26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)避雷器(qi)(qi)閥片(pian)來看,這(zhe)些(xie)避雷器(qi)(qi)的(de)閥片(pian)所(suo)用的(de)碳化硅比較松散,多半是這(zhe)根電(dian)線(xian)有(you)脈沖電(dian)流渡過,這(zhe)時,測定(ding)在配電(dian)線(xian)路的(de)導體(ti)上感應的(de)電(dian)壓波形。相應的(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是碳化硅微粉磨(mo)的生產(chan)加工(gong)中,粉塵(chen)外(wai)泄(xie)問題為(wei)嚴重(zhong),上(shang)海卓亞礦山機械有限公(gong)司研究者為(wei)其進行(xing)相應的分析與設(she)備的改造實驗(yan),終得出使用脈沖除塵(chen)器(qi)的。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖(tu)文]2011年8月4日-現在還有許多公司在用不(bu)同的(de)基(ji)底(如藍寶(bao)石和碳化硅)生(sheng)產(chan)GaNLED,這些(xie)LED該電路的(de)基(ji)本(ben)功(gong)能是產(chan)生(sheng)低頻、快速、大功(gong)率驅動電流脈沖(chong)信號(hao),輸出脈沖(chong)的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已(yi)有(you)頻(pin)率(lv)1.3GHz,脈沖輸出功率(lv)400W的報道[;。2.2碳(tan)化硅功率(lv)雙(shuang)極開(kai)發碳(tan)化硅BJT的主要問題是提(ti)高電流增益(yi)。早期6H-SiCBJT的電流增益(yi)只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式除(chu)塵器,分號機,粉碎(sui)(sui)機,氣流磨(mo),青島精(jing)華PZ粉碎(sui)(sui)機的用途(tu)及適(shi)應范圍:化工等物(wu)科(ke)的粉碎(sui)(sui),尤其適(shi)用于(yu)碳化硅、剛玉、石英(ying)、烙(luo)煉(lian)石英(ying)、石餾(liu)石等物(wu)科(ke)的粉碎(sui)(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅顆粒(li)化學鍍鎳(nie)對鐵基復合材(cai)料性能的(de)影響(xiang)張躍波1,宗亞平1,曹(cao)新建(jian)1,張龍(long)21.東北(bei)大(da)學材(cai)料各向(xiang)異性與織構教育部實(shi)驗室沈陽1108192.金策工業(ye)綜合。