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金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷

金屬氧化(hua)物(wu)碳化(hua)硅避(bi)雷器電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜(lan)電(dian)(dian)壓(ya)響應過沖保護性能殘壓(ya)測試回路相近似電(dian)(dian)流脈沖。

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2005脈(mo)沖激光(guang)退(tui)火納米碳化(hua)硅(gui)的(de)光(guang)致發光(guang)于(yu)威,何(he)杰(jie),孫運(yun)濤(tao),韓理(li),在(zai)電流激發方面存在(zai)較(jiao)大困難(nan),因此(ci)對(dui)碳化(hua)硅(gui)發光(guang)材料的(de)制備及發光(guang)特(te)性進行(xing)分析對(dui)。

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河北大學碩士學位論文(wen)納米碳化硅的(de)(de)脈(mo)沖(chong)激光燒蝕(shi)沉(chen)積及其光學特(te)性(xing)研究姓名:孫運濤(JFET,可達到電流(liu)水平400mA/mm,電導的(de)(de)指(zhi)標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作(zuo)的(de)(de)金屬(shu)。

納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道

2008年(nian)5月(yue)9日(ri)-1998年(nian)已有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率(lv)400W的報(bao)道[;。2.2碳化(hua)(hua)硅功率(lv)雙極與碳化(hua)(hua)硅功率(lv)MOS相比,對(dui)3000V以(yi)上的阻斷電(dian)壓,其通(tong)態電(dian)流密度可(ke)以(yi)高出幾個。

碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題

[圖文]2007年5月28日-從而具(ju)有非常高的(de)浪涌電(dian)流承受能力和(he)穩定的(de)過(guo)壓中的(de)PFC級應用(yong)在(zai)瞬時脈沖和(he)過(guo)壓狀態下具(ju)有更(geng)高利用(yong)具(ju)有獨特(te)性能的(de)碳化硅作(zuo)為器件材(cai)料(liao),能制造(zao)出。

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高頻脈(mo)(mo)沖(chong)電鍍(du)(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)(shi)性耐(nai)磨性陽極(ji)(ji)極(ji)(ji)化結構研究了電源頻率、占空比、陰極(ji)(ji)電流密度及鍍(du)(du)液中鈷1袁逖;高頻脈(mo)(mo)沖(chong)電沉(chen)積鎳鈷碳化硅(gui)鍍(du)(du)層耐(nai)蝕(shi)(shi)性耐(nai)磨。

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正采用60m長的(de)138kV電(dian)力(li)電(dian)纜產生的(de)幾十萬伏、2萬安以上的(de)電(dian)流、波頭時間約(yue)50ns的(de)脈(mo)沖(chong)。被試品為(wei)9kV金屬氧化(hua)(hua)物(wu)及碳化(hua)(hua)硅避雷(lei)器。避雷(lei)器的(de)電(dian)壓(ya)響(xiang)應(ying)包括(kuo)陡(dou)的(de)過沖(chong)電(dian)壓(ya)。

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2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究人員正(zheng)在向行業尋求開(kai)發進的碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)子技術種(zhong)高(gao)等級配置的高(gao)壓開(kai)關,脈沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰值30A,。

美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網

采用XeCl準分子脈(mo)沖(chong)激光(guang)退(tui)火技術制備了納米晶(jing)態碳(tan)化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并對(dui)薄膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)(PL)特性進行了分析。結果(guo)表明(ming),納米SiC薄膜(mo)的(de)光(guang)致發光(guang)表現(xian)為(wei)300-600nm.范圍(wei)。

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[圖文]V為(wei)驅動(dong)(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅動(dong)(dong)電(dian)(dian)流(liu)(liu)為(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)流(liu)(liu).V為(wei)驅動(dong)(dong)脈沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅動(dong)(dong)電(dian)(dian)流(liu)(liu)為(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)流(liu)(liu).收藏此頁(ye)推薦(jian)給好友09-23[技術資訊(xun)]碳化硅在高溫范圍(wei)內具(ju)有低開(kai)關(guan)損耗(hao)的MOSFE。

紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網

[圖文]這種改(gai)進(jin)的過壓和浪涌電流(liu)能(neng)力(li)可以使二(er)極管(guan)的壓力(li)減小,使應用具有(you)更高的可靠(kao)性(xing)。SiC肖特(te)(te)基二(er)極管(guan)——適合各(ge)種供(gong)電條(tiao)件的解(jie)決方案(an)利用具有(you)獨特(te)(te)性(xing)能(neng)的碳化硅(gui)作(zuo)為器件。

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論(lun)文天下提供的<高(gao)(gao)頻脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)沉積(ji)鎳鈷碳(tan)化硅鍍層(ceng)耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性的研究;論(lun)文包括高(gao)(gao)頻脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)(nai)蝕性耐(nai)(nai)磨性陽極極化結構等其他相關內容論(lun)文。

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諸暨(ji)市特(te)(te)耐工程陶(tao)瓷有限公司(si)碳化硅脈沖類(lei)型:脫(tuo)硫除塵(chen)器林(lin)格曼(man)黑度:3級品牌:帕特(te)(te)納型號:碳化硅噴嘴脫(tuo)硫率:97(%)除塵(chen)率:96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易(yi)網為(wei)您提供。

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2010年8月17日-0405SC-2200M碳(tan)化硅晶(jing)體管,射(she)頻峰(feng)值功率達2200瓦,可用于(yu)大功率超高頻脈沖系統(tong)的(de)另一些優(you)點包括簡化阻抗匹配,125伏的(de)操(cao)縱電壓(ya),低電導(dao)電流,高峰(feng)值。

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溫度脈(mo)沖方法制備碳(tan)/碳(tan)化硅(gui)復合材料(liao)界面的(de)微觀(guan)結構與性能研究袁明,黃政仁,董紹明,朱云洲,江東亮中國科學院上海硅(gui)酸鹽研究所,上海200050。

Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器

河(he)北大學(xue)碩士學(xue)位論文納(na)米碳化硅的(de)脈沖激(ji)光(guang)燒蝕沉積及其光(guang)學(xue)特性研(yan)究(jiu)姓(xing)名:孫運濤申請學(xue)位級別:碩士專業:光(guang)學(xue)指導教師:于威20030101摘要本工作采用脈沖激(ji)光(guang)。

溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究

2013年1月30日-美(mei)國陸軍研究人員正在向行業尋(xun)求開發進(jin)的(de)碳化(hua)硅(gui)(SiC)半(ban)導體功(gong)率電(dian)(dian)子技術(shu)種高(gao)(gao)等級配(pei)置的(de)高(gao)(gao)壓(ya)開關,脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓(ya)15000V,小電(dian)(dian)壓(ya)10000V,電(dian)(dian)流峰值(zhi)30A,。

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[圖文(wen)]從而具(ju)有(you)(you)(you)非常(chang)高(gao)的浪涌電流承受能力(li)和穩(wen)定的過(guo)壓特(te)性。網中的PFC級(ji)應用在瞬時脈沖和過(guo)壓狀態下具(ju)有(you)(you)(you)更高(gao)的利用具(ju)有(you)(you)(you)獨特(te)性能的碳化(hua)硅作為器件材料,能制造出接(jie)近。

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通過(guo)激光(guang)(guang)(guang)脈沖波形與(yu)光(guang)(guang)(guang)電流脈沖波形的(de)(de)比較(jiao),估算出2種光(guang)(guang)(guang)導開(kai)關的(de)(de)載流子壽命和載流子的(de)(de)基(ji)礎上改(gai)進設計,研制出了工作(zuo)電壓超過(guo)10kV、工作(zuo)電流超過(guo)90A的(de)(de)碳化硅光(guang)(guang)(guang)導。

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2008年9月26日(ri)-這些(xie)測試包括使用(yong)1祍脈(mo)沖,開(kai)關(guan)時(shi)間比為1000,在“開(kai)”狀態驅動電流是100本文鏈(lian)接:碳化硅(gui)電子(zi):全球協會提倡SiC高(gao)頻(pin)PI:/news。

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[圖文(wen)]GaN器件包含五項重要特征:高介電強度、高工作溫度、大(da)電流密度、高開關速度,如何在高效脈沖(chong)跳頻模式下選擇輸出濾波(1)智能電視前(qian)進路(lu)上的三座。

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1200V增強型(xing)(xing)碳化硅縱(zong)向結型(xing)(xing)場效應晶體管功率模塊《電(dian)力電(dian)子》2011年第4期開關測試采用了標準的雙(shuang)脈沖(chong)感性負載電(dian)路,在600V、100A、溫(wen)度分別為25℃和150。

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阿(a)里巴(ba)巴(ba)大(da)量供應(ying)碳(tan)化(hua)(hua)硅超(chao)(chao)細磨碳(tan)化(hua)(hua)硅專(zhuan)用(yong)磨碳(tan)化(hua)(hua)硅微粉(fen)磨脈沖除塵器-金(jin)屬硅磨粉(fen),,這里云(yun)集了眾多的(de)供應(ying)商(shang),采購商(shang),制造商(shang)。這里大(da)量供應(ying)碳(tan)化(hua)(hua)硅超(chao)(chao)細磨碳(tan)化(hua)(hua)硅專(zhuan)用(yong)磨。

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[圖文]2012年4月16日-既(ji)能(neng)滿足電子模塊的(de)正常工作電流(圖1中的(de)If),也能(neng)承受ISO7637-2脈沖(chong)[新(xin)(xin)品快訊]美高森美推(tui)出碳化硅(SiC)材(cai)料和(he)技(ji)術的(de)全新(xin)(xin)1200V肖特(te)基二(er)極管。

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[圖文]標(biao)簽:600509石(shi)墨烯碳化(hua)硅背景資(zi)料老孟股票具有電(dian)(dian)荷這種(zhong)性質(zhi),電(dian)(dian)荷的傳導能夠(gou)形成(cheng)電(dian)(dian)流(liu)并成(cheng)為電(dian)(dian)子采用(yong)脈沖電(dian)(dian)子輻照技術在SiC基底上外延石(shi)墨烯是我們。

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二(er):電流互(hu)感(gan)器(qi)保護(hu)用(yong)(yong)于(yu)保護(hu)電流互(hu)感(gan)器(qi)即CTPU.典型應用(yong)(yong)于(yu)互(hu)感(gan)器(qi)二(er)次(ci)過壓保護(hu),此類(lei)電阻片的(de)靈活(huo)性使其得(de)到廣范應用(yong)(yong),可用(yong)(yong)于(yu)熒光燈的(de)尖峰(feng)脈沖抑制(直(zhi)徑為26mm的(de)。

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(3)從損壞的(de)(de)避雷器閥(fa)片來看,這些避雷器的(de)(de)閥(fa)片所(suo)用的(de)(de)碳化硅(gui)比較松散,多半是這根電線(xian)有脈(mo)沖電流渡過,這時,測定在配電線(xian)路(lu)的(de)(de)導體上感應的(de)(de)電壓波形。相(xiang)應的(de)(de)。

600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客

2013年8月21日-尤其是碳化硅(gui)微粉磨的生產加工(gong)中(zhong),粉塵外泄問題為(wei)嚴重,上(shang)海卓亞(ya)礦(kuang)山(shan)機械有限(xian)公司研究者為(wei)其進行(xing)相應的分析(xi)與設備(bei)的改造實驗(yan),終得出使用脈沖(chong)除塵器(qi)的。

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[圖文]2011年8月4日-現在還有許多公司在用不同的(de)基底(如藍寶石和碳化硅)生(sheng)產(chan)GaNLED,這些LED該電(dian)路(lu)的(de)基本(ben)功能(neng)是產(chan)生(sheng)低頻、快速、大功率(lv)驅動電(dian)流脈沖(chong)信號,輸出脈沖(chong)的(de)。

什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答

2013年7月22日(ri)-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率400W的報(bao)道(dao)[;。2.2碳化硅功率雙極(ji)開發碳化硅BJT的主要問題是提高電流增(zeng)益(yi)。早期6H-SiCBJT的電流增(zeng)益(yi)只(zhi)有10。

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脈沖(chong)袋式(shi)除塵器(qi),分(fen)號機(ji),粉碎機(ji),氣(qi)流磨(mo),青島精華PZ粉碎機(ji)的用途及適應范圍:化工等物科的粉碎,尤其適用于碳化硅(gui)、剛玉、石英、烙煉石英、石餾石等物科的粉碎。

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碳化硅顆(ke)粒(li)化學鍍(du)鎳對鐵基復合(he)材(cai)(cai)料(liao)性能的影響張躍波1,宗(zong)亞平1,曹新建(jian)1,張龍21.東北大學材(cai)(cai)料(liao)各向異性與織構(gou)教育部(bu)實驗(yan)室沈陽1108192.金(jin)策工業(ye)綜合(he)。

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供應碳化硅整形機,氣流粉碎機,脈沖除塵器-其他-中國應用技術網

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