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101136305納米級氮化(hua)(hua)(hua)硅復合(he)(he)材(cai)料發熱體及(ji)制作(zuo)工藝(yi)[摘要]本(ben)發明是對(dui)氮化(hua)(hua)(hua)硅發熱$902158760低(di)壓燃燒合(he)(he)成(cheng)氮化(hua)(hua)(hua)硅或氮化(hua)(hua)(hua)硅鐵的方法(fa)及(ji)設(she)備[摘要]低(di)壓燃燒合(he)(he)成(cheng)。
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一種制造(zao)高純度(du)超(chao)細(xi)氮化(hua)硅的(de)方法及設(she)備,其特征(zheng)是硅烷和氨氣(qi)的(de)氣(qi)相化(hua)學反(fan)應(ying)是在(zai)立式雙溫區流態反(fan)應(ying)器3中進行,該反(fan)應(ying)器流態床底部(bu)設(she)有不銹(xiu)鋼(gang)制造(zao)的(de)分配板31,載體。
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氮化硅的生產方法-《無機鹽工業》1987年03期
氮化硅(gui)的(de)生產(chan)方(fang)法劉佩珠摘要(yao):正本介(jie)紹的(de)Si_3N_4的(de)生產(chan)方(fang)法如下:采用(yong)固體二硫化硅(gui)與氣態(tai)氨反應,溫度控制在(zai)800～1450℃,回收無定形Si_3N_4。。
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2012年9月19日-2CN02100873.6一種制(zhi)(zhi)造電池(chi)的(de)燒結(jie)鎘負(fu)極(ji)的(de)方(fang)法及其制(zhi)(zhi)造產(chan)品3CN70CN86100384氮化硅工程陶瓷燒結(jie)新工藝71CN86106840熱窯燒結(jie)設備與。
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[圖文]摘(zhai)要:摘(zhai)要:研究了等離子增強(qiang)化學氣相淀(dian)積(PECVD)工藝中射頻(pin)條件(功率和頻(pin)率)對(dui)氮(dan)(dan)化硅薄膜應(ying)力的(de)影響。對(dui)于不同射頻(pin)條件下薄膜的(de)測試(shi)結果表明(ming):低頻(pin)(LF)時氮(dan)(dan)化硅。
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7-BG520氮(dan)(dan)化硅只讀(du)存儲器(qi)的(de)結(jie)構與制造方(fang)法(fa)8-BG520低(di)壓燃燒合成氮(dan)(dan)化硅或氮(dan)(dan)化硅鐵的(de)方(fang)法(fa)及設備9-BG520利用(yong)原子層(ceng)沉積法(fa)形成氮(dan)(dan)化硅間(jian)隙壁的(de)方(fang)法(fa)10-BG520密封。
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[圖文]本(ben)文主要針對立(li)式LPCVD氮(dan)化(hua)硅(gui)爐管(guan)的(de)氮(dan)化(hua)硅(gui)制造工(gong)藝中所(suo)遇(yu)到particle問(wen)題進(jin)行(xing)研(yan)究。通過(guo)大(da)量的(de)對比性(xing)實驗進(jin)行(xing)排查與分析,并利用各種先進(jin)的(de)實驗的(de)設備和(he)器(qi)材找到產生。
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第(di)四節(jie)主要生產設(she)備情況介(jie)紹第(di)四章2011-2013年中國(guo)碳(tan)化硅(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化硅(gui)(gui)磚(zhuan)市(shi)場圖(tu)表:碳(tan)化硅(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化硅(gui)(gui)磚(zhuan)理化性質一(yi)覽圖(tu)圖(tu)表:碳(tan)化硅(gui)(gui)結合(he)氮(dan)化硅(gui)(gui)磚(zhuan)生產工藝流程。
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河(he)南科技大學畢業設(she)(she)計(ji)(論(lun)文)I噴(pen)涂工藝(yi)對氮化硅(gui)涂層品質的(de)(de)影響摘要鑄造(zao)因此容(rong)易在制造(zao)工藝(yi)中受石(shi)英、石(shi)墨、設(she)(she)備以(yi)及管(guan)道等(deng)的(de)(de)沾污(wu)。坩堝(guo)的(de)(de)使用一(yi)方(fang)面提高。
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本(ben)廠(chang)以“業潤社會”為(wei)經(jing)營(ying)理念,憑著國內的生(sheng)產(chan)設(she)備,全體員工努力進取(qu),銳意采(cai)用先(xian)進的氣壓(ya)(ya)、熱等(deng)靜壓(ya)(ya)燒結(jie)工藝(yi),批量生(sheng)產(chan)氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)。
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技(ji)術(shu)難題:1.生(sheng)產氮化硅錳(meng)從(cong)技(ji)術(shu)上采用普通(tong)硅錳(meng)和普通(tong)硅鐵作(zuo)為原料,工(gong)藝上采用物料5.所用的(de)臥式推板窯(yao)等(deng)加熱設備(bei)利用電感(gan)應加熱方式,在微(wei)正(zheng)壓(ya)下工(gong)作(zuo),省去了(le)真空。
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公司(si)簡介北京金海虹氮(dan)化硅(gui)有限公司(si)是高(gao)新技術企(qi)業,開發、生(sheng)(sheng)產高(gao)技術氮(dan)化硅(gui)結合先進的生(sheng)(sheng)產設(she)備,獨特(te)的生(sheng)(sheng)產工(gong)藝(yi),完(wan)善(shan)的檢測手段,科學(xue)的管理(li)體(ti)系,2005年5月獲得。
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北京金海虹氮(dan)化(hua)硅有限公司(si)簡介北京金海虹氮(dan)化(hua)硅有限公司(si)自主研發、生產高(gao)科技材(cai)料‘氮(dan)化(hua)硅結(jie)合碳化(hua)硅制(zhi)品’,以獨特(te)的制(zhi)造工(gong)藝(yi)于國內(nei)外同行業水(shui)平,為有色金屬(shu)行業。
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高純氮化硅粉體(用于晶硅生(sheng)產坩(gan)堝噴涂(tu)粉末)使用方法發布日期(qi):2011-11-01分(fen)離設備物(wu)性測試(shi)儀器生(sheng)命科(ke)學儀器實驗箱體/安全箱水質、水分(fen)檢測。
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制作燒(shao)結(jie)鋁礬(fan)(fan)土(tu)(tu)粉的(de)設備《礬(fan)(fan)土(tu)(tu)技(ji)術分析鋁礬(fan)(fan)土(tu)(tu),均勻度,氮(dan)化硅,反應催化劑,剛玉(yu)陶瓷(ci),》43-BG192114一種變截面(mian)隧道窯煅燒(shao)高鋁礬(fan)(fan)土(tu)(tu)的(de)方法44-BG192114礬(fan)(fan)土(tu)(tu)面(mian)礦脫水。
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,經過(guo)多(duo)年(nian)的研制、創(chuang)新,研發(fa)(fa)出全(quan)新的陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)配方以及一(yi)體(ti)(ti)化(hua)(hua)高純氮化(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)生產(chan)工藝(yi)。高純氮化(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)熱(re)面(mian)發(fa)(fa)熱(re)體(ti)(ti)燃氣設備用熱(re)面(mian)發(fa)(fa)熱(re)體(ti)(ti)高純氮化(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)電(dian)熱(re)塞柴(chai)油。
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并提出了對(dui)比分析的(de)方法,在(zai)通過專業設(she)備檢測的(de)基礎(chu)上對(dui)成品球球度、表(biao)面(mian)粗(cu)糙(cao)度研究結果表(biao)明,氮(dan)化硅陶瓷球能夠批量生產且球度達到(dao)0.062μm以下(xia),表(biao)面(mian)粗(cu)糙(cao)度達到(dao)。
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反應(ying)燒結工(gong)藝(yi)生產的氮化(hua)硅(gui)使用壽命很短,材(cai)料(liao)存在很多氣孔,長期(qi)鋁液會滲(shen)入(ru);抗熱震用于冶金、化(hua)工(gong)、紡(fang)織、印刷、包裝(zhuang)、食(shi)品機(ji)械(xie)、電爐設備(bei)、電力容器、變壓器等。
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種更可(ke)靠的半導體(ti)裝(zhuang)置和(he)顯示裝(zhuang)置的高產量制(zhi)造技術且未使用于制(zhi)造的設備和(he)方法作(zuo)為在(zai)有機(ji)(ji)化(hua)(hua)合物中(zhong)所含的無(wu)機(ji)(ji)材料,可(ke)以使用氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氧氮化(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氮。
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經營(ying)模式:生產廠家主(zhu)營(ying)產品:氮化(hua)(hua)金屬粉(fen)末特種合(he)金焊條粉(fen)劑合(he)金粉(fen)工商公司(si)運(yun)用自己的科(ke)研成果,采用先進的設備和工藝技術進行各(ge)類高純硅精細化(hua)(hua)加。