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22.氮(dan)化硅(gui)(gui)發熱(re)(re)體及其(qi)制(zhi)造方(fang)法(fa)23.氮(dan)化硅(gui)(gui)發熱(re)(re)裝置24.氮(dan)化硅(gui)(gui)粉.其(qi)燒結體.基板(ban).及由此的電(dian)(dian)路(lu)板(ban)和熱(re)(re)電(dian)(dian)元件模(mo)塊25.氮(dan)化硅(gui)(gui)粉末的制(zhi)造方(fang)法(fa)26.氮(dan)化硅(gui)(gui)粉末的制(zhi)造方(fang)法(fa)及設備(bei)。
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氮化(hua)硅(gui)的(de)生產方法(fa)劉佩(pei)珠摘要:正本介紹的(de)Si_3N_4的(de)生產方法(fa)如下:采用固體二硫化(hua)硅(gui)與氣態氨反應,溫度控(kong)制在800～1450℃,回收(shou)無(wu)定形Si_3N_4。。
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在亞微米(mi)的(de)生(sheng)產制造技(ji)術(shu)中,氮(dan)化(hua)硅工藝的(de)particle已經成為產品良率的(de)主(zhu)(zhu)要影響(xiang)因素。本文主(zhu)(zhu)要針對立式(shi)LPCVD氮(dan)。
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[圖文(wen)]摘(zhai)要:摘(zhai)要:研(yan)究了等離子增強化學氣相(xiang)淀積(PECVD)工藝中射頻條件(功(gong)率和(he)頻率)對(dui)氮化硅(gui)薄(bo)(bo)膜應(ying)力的影響。對(dui)于(yu)不同射頻條件下(xia)薄(bo)(bo)膜的測試結果(guo)表明:低(di)頻(LF)時氮化硅(gui)。
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氮(dan)(dan)化(hua)硅收(shou)集(ji)(ji)平(ping)臺,涉及多(duo)晶(jing)硅生產(chan)設備領域,尤其是涉及多(duo)晶(jing)硅生產(chan)中氮(dan)(dan)化(hua)硅的收(shou)集(ji)(ji)臺,一(yi)種(zhong)移除(chu)氮(dan)(dan)化(hua)硅層的方法,此方法系(xi)首先提供一(yi)晶(jing)圓,其中晶(jing)圓上已形成有一(yi)氮(dan)(dan)化(hua)硅層。
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7-BG520氮化(hua)硅(gui)只讀存儲器的(de)(de)結構與制造方(fang)(fang)法(fa)8-BG520低壓燃燒合成氮化(hua)硅(gui)或氮化(hua)硅(gui)鐵的(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)及設(she)備9-BG520利用(yong)原子(zi)層沉積法(fa)形成氮化(hua)硅(gui)間隙(xi)壁(bi)的(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)10-BG520密封。
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[圖文]本文主要針對立式LPCVD氮化硅(gui)爐管的氮化硅(gui)制造工藝中所(suo)遇到particle問題(ti)進行研究。通過大量的對比(bi)性實驗進行排(pai)查與分析,并利用各(ge)種先進的實驗的設(she)備和(he)器材找(zhao)到產(chan)生。
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第(di)四節(jie)主要生(sheng)產設(she)備(bei)情況(kuang)介紹第(di)四章(zhang)2011-2013年(nian)中國碳化(hua)硅結合氮(dan)化(hua)硅磚(zhuan)市場圖(tu)表:碳化(hua)硅結合氮(dan)化(hua)硅磚(zhuan)理化(hua)性質一覽圖(tu)圖(tu)表:碳化(hua)硅結合氮(dan)化(hua)硅磚(zhuan)生(sheng)產工(gong)藝流(liu)程(cheng)。
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河南(nan)科技大學畢(bi)業設(she)計(論文)I噴涂工(gong)藝對(dui)氮化硅(gui)涂層品質(zhi)的影(ying)響摘要鑄造(zao)因(yin)此(ci)容易在制造(zao)工(gong)藝中受石(shi)英、石(shi)墨、設(she)備以及(ji)管道(dao)等的沾(zhan)污。坩堝的使(shi)用一方面(mian)提高。
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通過幾(ji)年不斷技術創新,工藝優(you)化(hua),積累(lei)了豐富(fu)的氮化(hua)合金生(sheng)產(chan)(chan)經驗。公司(si)擁有三個生(sheng)產(chan)(chan)車間,十幾(ji)臺國內先進的氮化(hua)物產(chan)(chan)品生(sheng)產(chan)(chan)設備,建立(li)了完(wan)發(fa)聯系信合肥(fei)開爾(er)納米(mi)。
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本廠以“業潤社會”為經(jing)營理念,憑(ping)著國(guo)內(nei)的生產設備(bei),全體員工努力進取(qu),銳意采用先進的氣壓、熱等靜壓燒結(jie)工藝,批量生產氮化(hua)硅(Si3N4)、氧化(hua)鋯(ZrO2)。
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技術難題:1.生產氮化硅(gui)錳從技術上采用(yong)普通硅(gui)錳和普通硅(gui)鐵(tie)作為原料,工(gong)藝上采用(yong)物料5.所用(yong)的臥式推板窯等加(jia)(jia)熱設備利用(yong)電感應加(jia)(jia)熱方式,在微正壓下工(gong)作,省去了真空。
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公(gong)司簡介北京金海(hai)虹氮化(hua)硅有(you)限公(gong)司是高新(xin)技術(shu)企業,開發(fa)、生產(chan)高技術(shu)氮化(hua)硅結合先進的生產(chan)設備(bei),獨特的生產(chan)工藝,完(wan)善的檢測(ce)手段,科學(xue)的管理體系,2005年5月(yue)獲得。
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高純(chun)氮化(hua)硅粉體(用(yong)于晶硅生產坩堝噴(pen)涂(tu)粉末(mo))使(shi)用(yong)方法發布日期:2011-11-01分離設(she)備物性(xing)測試儀(yi)器生命科學(xue)儀(yi)器實驗(yan)箱(xiang)體/安全(quan)箱(xiang)水(shui)質(zhi)、水(shui)分檢測。
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制作燒(shao)(shao)結鋁(lv)(lv)礬(fan)(fan)(fan)(fan)土(tu)粉的(de)設備(bei)《礬(fan)(fan)(fan)(fan)土(tu)技術分析鋁(lv)(lv)礬(fan)(fan)(fan)(fan)土(tu),均勻度,氮化硅,反應催化劑,剛玉陶瓷,》43-BG192114一種變(bian)截面隧道窯煅燒(shao)(shao)高(gao)鋁(lv)(lv)礬(fan)(fan)(fan)(fan)土(tu)的(de)方法(fa)44-BG192114礬(fan)(fan)(fan)(fan)土(tu)面礦(kuang)脫水。
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,經(jing)過多年的研制、創(chuang)新,研發(fa)(fa)出全新的陶(tao)瓷(ci)(ci)配方以及一體化高(gao)純氮(dan)(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)(ci)生(sheng)產工藝。高(gao)純氮(dan)(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)(ci)熱面發(fa)(fa)熱體燃氣設(she)備用(yong)熱面發(fa)(fa)熱體高(gao)純氮(dan)(dan)化硅陶(tao)瓷(ci)(ci)電(dian)熱塞(sai)柴油。
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并提(ti)出(chu)了對比分析的(de)(de)方法,在通(tong)過專業設備檢測的(de)(de)基礎上對成品球球度(du)、表(biao)面粗糙(cao)(cao)度(du)研(yan)究結果表(biao)明,氮化硅陶瓷球能夠批量生產且球度(du)達(da)到0.062μm以下,表(biao)面粗糙(cao)(cao)度(du)達(da)到。
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反(fan)應燒結工藝生產的氮化(hua)硅使用(yong)壽命(ming)很短,材料存在很多氣孔,長(chang)期鋁液(ye)會滲入;抗熱震用(yong)于冶金(jin)、化(hua)工、紡織(zhi)、印(yin)刷(shua)、包(bao)裝、食品機(ji)械、電爐設(she)備、電力(li)容器、變壓器等。
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種更可靠的(de)(de)半導體裝(zhuang)置(zhi)和顯(xian)示(shi)裝(zhuang)置(zhi)的(de)(de)高產(chan)量制(zhi)造技術且未使用(yong)于制(zhi)造的(de)(de)設備和方法作為在有機化(hua)合物中所含的(de)(de)無機材料,可以使用(yong)氧化(hua)硅(gui)、氮化(hua)硅(gui)、氧氮化(hua)硅(gui)、氮。
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經營模式:生產廠(chang)家主(zhu)營產品:氮化金(jin)屬粉末特種(zhong)合金(jin)焊條粉劑合金(jin)粉工(gong)商公司(si)運用(yong)自己的(de)(de)科研成果,采用(yong)先進的(de)(de)設備和(he)工(gong)藝技術(shu)進行各(ge)類高純硅(gui)精細化加(jia)。