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MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究

在(zai)固(gu)態裝(zhuang)配型諧振器(SMR)方面(mian),論文采用上述模型分(fen)(fen)析了(le)四分(fen)(fen)之一波長布拉格(ge)反射(she)柵(zha)對其(qi)諧振特性的影響,得到了(le)SMR器件獲(huo)得理想性能所(suo)需的少反射(she)柵(zha)對數(shu);另外,考慮到實際。

石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網

壓電層的典型厚度(du)在幾(ji)個微(wei)米或壓力場看(kan)起來與(單晶的)石英(ying)模式的石英(ying)這種類型的BAW被(bei)稱為固態裝(zhuang)配諧振器(qi)(SMR)。魯(lu)棒性而言,,則(ze)可減少諧振器(qi)。

ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年

ZnO固態裝配型諧振(zhen)器(SMR)的模(mo)擬分析湯亮郝震宏喬東海汪承灝摘要:正1引言(yan)近年來,薄膜體(ti)(ti)聲波諧振(zhen)器(FBAR)由于(yu)其較(jiao)小的體(ti)(ti)積(ji)以(yi)及可與(yu)IC電路進行(xing)單。

布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫

這樣形成(cheng)的諧(xie)振器(qi)是固態裝配(pei)諧(xie)振器(qi)(SMR)。在(zai)一(yi)個實(shi)施例中,襯底12由硅(Si)制成(cheng),PZ層18由氮(dan)化(hua)鋁(AlN)制成(cheng)。或(huo)者,也可以使用(yong)其他的壓(ya)電(dian)材料(liao)來制作PZ層18。在(zai)一(yi)。

CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google

基于CMOS工(gong)藝的(de)高性能射頻濾波(bo)器:體(ti)聲(sheng)波(bo)濾波(bo)器BAW第2頁/共6頁<上一頁下這種類型的(de)BAW被稱為固態裝(zhuang)配諧振器(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜(mo)結構(gou)的(de)BAW要好(hao)。

基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫

這種類型的BAW被稱為固態裝配(pei)諧振器(SMR)。魯棒性而言,SMR比(bi)膜(mo)結構的BAW要(yao)好很多。在劃片和(he)裝配(pei)所需(xu)的各(ge)種標準工(gong)序中,沒有機械損壞(huai)的風險。壓電層和(he)電極層上。

基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)

和(he)電極做成(cheng)(cheng)膜(mo)結(jie)構或一(yi)并沉積到一(yi)個薄的支(zhi)撐(cheng)膜(mo)上,形成(cheng)(cheng)空氣一(yi)固體交界面;還有一(yi)種方式是采用“聲波鏡(jing)”形成(cheng)(cheng)反射面來(lai)實現(xian),這種結(jie)構被稱為“固態裝配諧振(zhen)器(qi)(SMR)。

薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網

鋯鈦酸鉛溶(rong)膠凝(ning)膠諧振器(qi)建立微(wei)型(xing)體聲波諧振器(qi)機械結構的等效電(dian)路模型(xing),運(yun)用PSPICE軟件研(yan)究4湯(tang)亮;郝(hao)震宏;喬東海(hai);汪(wang)承(cheng)灝(hao);;ZnO固態裝配型(xing)諧振器(qi)(SMR)。

龍俞兆-技術總結-道客巴巴

[0003]壓電(dian)薄膜(mo)諧振(zhen)器(qi)(qi)可以分類為FBAR(膜(mo)體聲諧振(zhen)器(qi)(qi))型和SMR(固(gu)態裝配諧振(zhen)器(qi)(qi))型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。

PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文

上述聲波器(qi)(qi)(qi)件的(de)示例為諸如(ru)FBAR(膜體聲波諧振器(qi)(qi)(qi))和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態裝配諧振器(qi)(qi)(qi))的(de)薄膜諧振器(qi)(qi)(qi)。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。

CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-

聲諧振器(qi)(10;110;和(he)210)包括少部分地補償(chang)通過電極壓(ya)電疊層(ceng)(18)引(yin)入的(de)(de)溫(wen)度感應效應的(de)(de)鐵磁補償(chang)器(qi)(20;120;和(he)220)。該補償(chang)器(qi)具(ju)有正頻率溫(wen)度系數,而疊層(ceng)具(ju)有負。

BAW_百度文庫

包含這些壓電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi)的濾波器(qi)也受到關注。[0003]壓電(dian)(dian)薄(bo)(bo)膜諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi)的例子包括FBAR(薄(bo)(bo)膜腔聲諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝配諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi),Solidly。

CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer

將上(shang)述壓(ya)電薄(bo)膜(mo)諧(xie)(xie)振器(qi)分為兩(liang)種類型,FBAR(薄(bo)膜(mo)腔聲諧(xie)(xie)振器(qi))和(he)SMR(固態裝配諧(xie)(xie)振器(qi))。FBAR包括層疊在(zai)諸(zhu)如硅或(huo)玻璃(li)的基(ji)板上(shang)的上(shang)電極膜(mo)、壓(ya)電膜(mo)和(he)下電極膜(mo)的層疊結構。

布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof

包(bao)含(han)這些壓(ya)電(dian)薄膜(mo)諧(xie)(xie)振器(qi)的濾波器(qi)也受到關注。壓(ya)電(dian)薄膜(mo)諧(xie)(xie)振器(qi)的例子包(bao)括FBAR(薄膜(mo)腔聲諧(xie)(xie)振器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和SMR(固態裝(zhuang)配(pei)諧(xie)(xie)振器(qi),SolidlyMounted。

CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的

另外(wai)值得一提的是,德國(guo)的Infneon公司在2003年推(tui)出了具(ju)有布拉格反(fan)射層結構的固(gu)貼式(又稱固(gu)態裝配型)薄膜體聲(sheng)波諧振器(qi)(SMR-FBAR)[9-10].而我國(guo)關于。

CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google

0引言固態(tai)(tai)引信諧振器是電子安全系(xi)統(tong)的重要組成部分(fen)之一,它能在后坐加速度和旋轉離心力(li)的作用下向前運動,使限位(wei)保險處于(yu)(yu)鎖定狀態(tai)(tai),從而使引信處于(yu)(yu)待發狀態(tai)(tai)。但是,。

CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google

毫米(mi)波平面(mian)振蕩器基片(pian)集成波導相位噪聲雙端(duan)口壓控振蕩器注入鎖定諧波振蕩器毫米(mi)波平面(mian)振蕩器是(shi)毫米(mi)波平面(mian)集成系統ZnO固態(tai)裝配型諧振器(SMR)的模擬(ni)分析[。

CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google

聲諧振器(10;110;和(he)210)包(bao)括少部分地補償(chang)通(tong)過電(dian)極壓電(dian)疊(die)層(18)引入的溫(wen)度感(gan)應(ying)效應(ying)的鐵磁補償(chang)器(20;120;和(he)220)。Theacousticresonator(10;110;and。

薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴

關鍵詞:微波濾波器(qi)時域有限差(cha)分(fen)法階梯(ti)阻(zu)抗諧(xie)振器(qi)橢(tuo)圓(yuan)函數濾波器(qi)多層6湯亮;郝震宏;喬東海(hai);汪承灝;;ZnO固(gu)態(tai)裝配型諧(xie)振器(qi)(SMR)的模擬分(fen)析[A];。

固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網

摘要固態(tai)微(wei)型諧振器(qi)的工(gong)作頻率高(gao)、功率容量大、損耗低、體積小,是目前有望第(di)三種為(wei)本研究采(cai)用反(fan)射層(ceng)聲(sheng)學隔(ge)離固定結構(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖l一(yi)。

MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期

在固態裝(zhuang)配型(xing)諧振器(qi)(SMR)方面,論文采用上述模型(xing)分析了(le)四分之一波長布拉(la)格反射柵對其諧振特性的影響,得(de)到了(le)SMR器(qi)件獲得(de)理想(xiang)性能所需的少(shao)反射柵對數(shu);另(ling)外,考(kao)慮(lv)到實(shi)際。

復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-

這樣形(xing)成(cheng)的(de)諧振器是固態(tai)裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在(zai)一個(ge)實施例中,襯底(di)12由硅(gui)(Si)制成(cheng),。

基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子

大字報利用無線傳感器網絡(luo)實現運(yun)動聲源的定位與跟蹤錄取,報告用相(xiang)對運(yun)動幾何(he)求解(jie)BOT問(wen)題ZnO固態裝配型諧振(zhen)器(SMR)的模擬(ni)分析PGC解(jie)調光纖傳聲器技術的討論一種單。

CN1229917C-Soundwaveresonator-Google

將上(shang)述(shu)壓(ya)電(dian)(dian)薄(bo)膜(mo)諧(xie)振(zhen)器分為兩種類型,FBAR(薄(bo)膜(mo)腔(qiang)聲諧(xie)振(zhen)器)和(he)SMR(固態裝(zhuang)配(pei)諧(xie)振(zhen)器)。FBAR包括層疊(die)在諸(zhu)如硅或玻(bo)璃的基(ji)板上(shang)的上(shang)電(dian)(dian)極(ji)膜(mo)、壓(ya)電(dian)(dian)膜(mo)和(he)下電(dian)(dian)極(ji)膜(mo)的層疊(die)。

無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004

2007年(nian)10月31日-壓電薄(bo)膜諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi)可分成FBAR(薄(bo)膜塊體聲波諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi))型和SMR(固態裝配諧(xie)振(zhen)(zhen)器(qi),solidlymountedresonator)型。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。

基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網

該傳感器是混(hun)合型諧振(zhen)(zhen)無源諧振(zhen)(zhen)結構,其可以在(zai)制造過程中被集成于車輛地面連接裝置HBAR“高模(mo)薄膜體(ti)聲波諧振(zhen)(zhen)器”),或(huo)者帶有(you)布拉格反(fan)射鏡(SMR“固態裝配型諧振(zhen)(zhen)。

基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫

該傳感器(qi)(qi)是混合型諧振(zhen)(zhen)無源諧振(zhen)(zhen)結構,其(qi)可以在制(zhi)造過程中被集成于(yu)車輛地(di)面連接裝置(zhi)HBAR"高模薄膜體(ti)聲(sheng)波諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)"),或者帶有布拉(la)格反射(she)鏡(SMR"固(gu)態裝配(pei)型諧振(zhen)(zhen)器(qi)(qi)"。

院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(

2010年6月16日-[0020]壓電薄膜諧振器(qi)包括FBAR型和SMR型,其中(zhong)FBAR是薄膜體聲波諧振器(qi)(Film-BulkAcousticResonator)的(de)縮(suo)寫,以及SMR是固(gu)態安裝諧振器(qi)(SolidlyMounted。

CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement

2005年10月5日(ri)-將上述壓電薄(bo)膜(mo)諧(xie)振(zhen)器分為兩種類型(xing),FBAR(薄(bo)膜(mo)腔聲諧(xie)振(zhen)器)和SMR(固態裝(zhuang)配諧(xie)振(zhen)器)。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。

薄膜諧振器技術概述_百度文庫

[0003]壓(ya)電薄膜諧(xie)振器(qi)(qi)(qi)可分成(cheng)FBAR(薄膜塊體(ti)聲波(bo)諧(xie)振器(qi)(qi)(qi))型和SMR(固(gu)態(tai)裝配諧(xie)振器(qi)(qi)(qi),solidlymountedresonator)型。FBAR具有由上部電極(ji)、壓(ya)電膜和下(xia)部電極(ji)構成(cheng)的(de)。

龍俞兆-豆丁網

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FBAR雙工器的分析和設計-碩士論文-道客巴巴

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微波固態電路設計_百度百科

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