碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離(li)子(zi)發射光譜(pu)法微量雜質元素(su)測定微電子(zi)工業(ye)發動機雜質分析高溫技術聚(ju)變(bian)裝置微量元素(su)。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)碲化鉛(qian)(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫化鉛(qian)(PbS)、碳化硅(SiC)等(deng)。與金(jin)屬材料不(bu)同,半導體(ti)中雜質含量和外界條件的改變(如(ru)溫度變化、受光照射(she)等(deng)),都(dou)會使半導體(ti)的。
碳化硅_百度百科
怎(zen)樣去除碳化硅制品中的(de)雜(za)質沒(mei)有(you)任何一件事(shi)物是(shi)沒(mei)有(you)雜(za)質的(de),即便是(shi)很多(duo)化學(xue)原料或(huo)者經過多(duo)重步(bu)驟產生(sheng)的(de)高(gao)科技產品,所(suo)以(yi),目(mu)前(qian)市場上(shang)出現的(de)碳化硅產品也有(you)很多(duo)雜(za)質。但(dan)是(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一種應用X射線熒(ying)光(guang)光(guang)譜法(fa)檢(jian)測(ce)(ce)碳化硅(gui)雜(za)質含量的方(fang)法(fa),其步驟如下:1、制(zhi)(zhi)備測(ce)(ce)試(shi)樣(yang)(yang)片;2、制(zhi)(zhi)備標準(zhun)樣(yang)(yang)片:①提純碳化硅(gui)的制(zhi)(zhi)樣(yang)(yang);②碳化硅(gui)提純,制(zhi)(zhi)備出純品碳化硅(gui);③。
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現在的原料主要成分是硅(gui)和碳(tan)化硅(gui)的混合物(wu),里面(mian)含有少量鐵雜質,怎樣除去(qu)鐵,請各位賜(si)教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日(ri)-碳(tan)化(hua)硅晶體中的(de)雜(za)(za)質是:鐵(tie)、鋁、鈣(gai)、鎂、硅等的(de)氧化(hua)物和碳(tan)化(hua)物,以(yi)及(ji)它們的(de)共熔物。這(zhe)些雜(za)(za)質在(zai)冶煉爐(lu)熱(re)動力條件下(xia),溫度在(zai)2100——2200℃時被蒸(zheng)發排(pai)。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化(hua)(hua)(hua)硅因其相較(jiao)α-碳化(hua)(hua)(hua)硅擁有(you)更高的(de)比表面積,所(suo)以可用于非(fei)均(jun)相催化(hua)(hua)(hua)劑的(de)負載體(ti)。純的(de)碳化(hua)(hua)(hua)硅是(shi)無色(se)的(de),工業(ye)用碳化(hua)(hua)(hua)硅由于含有(you)鐵等雜質而(er)呈現棕(zong)色(se)黑(hei)色(se)晶(jing)體(ti)。
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開始時間:結束時間:雜(za)質碳加工工藝-催化劑,二氧化碳,碳化硅(gui),X射線,生產碳化硅(gui)版(ban)的出價/購(gou)買記錄Top一(yi)口價:元該(gai)物品已下架立即購(gou)買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱(re)率:碳(tan)化(hua)(hua)硅制品的(de)導熱(re)率非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高,熱(re)膨脹參數(shu)小巧,抗熱(re)震性(xing)非常(chang)(chang)非常(chang)(chang)高,是(shi)(shi)優質(zhi)的(de)耐火(huo)材料。3、電學(xue)屬(shu)性(xing)恒溫下工(gong)業碳(tan)化(hua)(hua)硅是(shi)(shi)一種半導體,屬(shu)雜(za)質(zhi)導電性(xing)。高純度(du)。
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碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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碳化硅的特性和根本機能
碳化(hua)硅中(zhong)雜(za)(za)質(zhi)的(de)形態(tai)-碳化(hua)硅中(zhong)雜(za)(za)質(zhi)的(de)形態(tai)碳化(hua)硅的(de)研發(fa)成(cheng)功并很(hen)好的(de)利(li)用是市場發(fa)展過程中(zhong)的(de)一(yi)大進(jin)步點,特別是對于1893年(nian)艾奇(qi)遜的(de)發(fa)明為引子,由此(ci)推出的(de)國內由趙廣(guang)和。
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2011年6月14日-碳化(hua)硅在現代(dai)工業生產(chan)中(zhong)的(de)應用范圍比(bi)(bi)較(jiao)廣(guang)泛,比(bi)(bi)較(jiao)為人們所(suo)了解的(de)是(shi)應用于(yu)磨料、磨具領域。但是(shi)隨(sui)著科學技術的(de)進(jin)步,人們對(dui)碳化(hua)硅的(de)認識也(ye)逐漸(jian)深(shen)入(ru),由此開發(fa)。
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碳化(hua)硅(gui)(SiC)是用石英砂、石油焦(或(huo)煤焦)、木屑為原料通過電阻爐高溫(wen)冶煉而成。碳化(hua)硅(gui)在大自然也存在罕見的(de)礦物(wu),莫桑石。碳化(hua)硅(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化硅(gui);物(wu)理(li)性(xing)質性(xing)狀(zhuang):綠色藍(lan)黑色結晶性(xing)粉(fen)(fen)末.含(han)雜(za)質的碳化硅(gui)為綠色,固性(xing)狀(zhuang):綠色藍(lan)黑色結晶性(xing)粉(fen)(fen)末.含(han)雜(za)質的碳化硅(gui)為綠色,固溶有炭(tan)和金屬氧化物(wu)雜(za)質呈黑色。密。
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論(lun)文(wen)天下提供的(de)<二次(ci)(ci)離(li)子(zi)質譜(pu)分析(xi)碳(tan)(tan)化硅中(zhong)釩雜質含量的(de)研究;論(lun)文(wen)包括碳(tan)(tan)化硅二次(ci)(ci)離(li)子(zi)質譜(pu)釩摻雜定量分析(xi)二次(ci)(ci)離(li)子(zi)質譜(pu)分析(xi)離(li)子(zi)注入樣品(pin)等其他相關內容論(lun)文(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年4月24日(ri)-碳化硅(gui)俗(su)稱金剛石,又稱碳硅(gui)石,主要用作耐(nai)磨(mo)材料(liao),耐(nai)火材料(liao),核反(fan)應堆材料(liao)及制造電阻(zu)發熱(re)硅(gui)碳棒(bang)(管(guan)(guan)),半導體(ti)元(yuan)件,C二級管(guan)(guan),晶體(ti)管(guan)(guan),電器元(yuan)件,火箭噴管(guan)(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領域:新能(neng)源光伏需求(qiu)類型(xing):技術服務需求(qiu)編(bian)號(hao):189-07制粉是碳(tan)化硅微粉生產(chan)中的(de)(de)重要工(gong)序,但由于碳(tan)化硅的(de)(de)硬度較高,其莫(mo)氏硬度為9.5級,在莫(mo)氏硬度標(biao)準(zhun)中僅(jin)低(di)于金(jin)剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用ICP-MS法(fa)對(dui)高純碳化(hua)硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種(zhong)痕量雜質進行測定(ding),用氫氟(fu)酸溶液(ye)浸提試樣表面雜質,用釔做內(nei)標補償(chang)。
碳化硅|化合物-查字典
一(yi)(yi)種無TiC雜(za)質(zhi)相(xiang)的碳化硅鈦(tai)陶瓷粉體的合成方法,其特征在(zai)于:(1)以(yi)Ti粉、Si粉和TiC本(ben)發明(ming)公開(kai)了一(yi)(yi)種低成本(ben)無TiC雜(za)質(zhi)相(xiang)的碳化硅鈦(tai)陶瓷粉體的常壓(ya)合成方法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂市(shi)金(jin)蒙(meng)碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)有限公司是一家擁有國內先進的碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉,黑碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui),綠碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉,黑碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)微(wei)粉,碳(tan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)粒度砂,生(sheng)產(chan)線和工(gong)藝技術,服(fu)務(wu)熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月(yue)9日(ri)-碳(tan)化硅(gui)電力(li)電子器件研發進(jin)展(zhan)與存在問題,1引言(yan)借助于(yu)微電子技術的(de)長足發展(zhan),以硅(gui)器件為基礎的(de)電力(li)電子技術因大(da)功率場效應(ying)晶體管(功率MOS)和絕緣柵雙極晶體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離(li)硅(gui)。它(ta)一部分溶解(jie)于SiC晶(jing)體中,一部分與其雜質(如(ru)鐵(tie)、鋁、鈣等)形成合金而粘附于晶(jing)體上或嵌在(zai)晶(jing)體中。2、游離(li)二氧化硅(gui)。通常(chang)存在(zai)于晶(jing)體表面。大都是由(you)于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對(dui)SiC中基態施(shi)主能級分裂對(dui)雜(za)(za)質(zhi)電離的(de)影(ying)響(xiang),與溫度(du)、摻雜(za)(za)濃(nong)度(du)和雜(za)(za)質(zhi)能級深度(du)的(de)關(guan)系(xi)進行了系(xi)統研究。發現只有在高(gao)溫且摻雜(za)(za)濃(nong)度(du)低的(de)情況下,能級分裂的(de)影(ying)響(xiang)很小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化(hua)(hua)硅結(jie)合(he)碳(tan)化(hua)(hua)硅材(cai)料(liao)反應燒結(jie)時的雜質相行為分析,郝(hao)小勇;-陶瓷工(gong)程1998年(nian)第(di)03期在(zai)線閱讀、文章(zhang)下載。<正;l前言Si3N4結(jie)合(he)SIC材(cai)料(liao)的研究(jiu)近年(nian)來(lai)在(zai)國內發(fa)展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料反應(ying)燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相(xiang)的反應(ying)行為。氮化硅結合碳化硅材(cai)料反應(ying)燒結時的雜質相(xiang)行為分(fen)析(xi)前言(yan):分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目(mu)前,國內(nei)使用(yong)的切(qie)割液和(he)碳化(hua)硅微粉(fen)在(zai)線切(qie)割過(guo)程中,砂漿(jiang)(jiang)中不可避免(mian)的會混入(ru)硅粉(fen)、鐵、高聚物等雜質,部分碳化(hua)硅微粉(fen)也(ye)會因切(qie)割作用(yong)而(er)出現破損,產(chan)生的廢(fei)砂漿(jiang)(jiang)很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅結(jie)合(he)碳(tan)化硅材(cai)料反(fan)(fan)應燒結(jie)時的(de)雜質(zhi)相行為分(fen)析-分(fen)析了Si3N4結(jie)合(he)Si3C材(cai)料反(fan)(fan)應燒結(jie)時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質(zhi)相的(de)反(fan)(fan)應行為。
黑碳化硅,綠碳化硅,綠碳化硅微粉,黑碳化硅微粉,碳化硅粒度砂|臨沂
碳化硅質泡沫(mo)陶瓷過(guo)(guo)(guo)濾(lv)(lv)片(pian),去孔,濾(lv)(lv)渣,吸附雜質泡沫(mo)陶瓷過(guo)(guo)(guo)濾(lv)(lv)片(pian)簡介泡沫(mo)陶瓷過(guo)(guo)(guo)濾(lv)(lv)器的過(guo)(guo)(guo)濾(lv)(lv)機理(li):整流作(zuo)用:在(zai)澆(jiao)鑄系統(tong)中放置(zhi)泡沫(mo)陶瓷過(guo)(guo)(guo)濾(lv)(lv)片(pian)后,金屬液流阻力增(zeng)大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄(zhu)泰碳(tan)素有限公(gong)司碳(tan)化(hua)(hua)硅簡(jian)介:碳(tan)化(hua)(hua)硅英文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛(gang)砂。純碳(tan)化(hua)(hua)硅是無色透明的晶體。工業碳(tan)化(hua)(hua)硅因所含雜(za)質的種類(lei)和含量不同(tong),而呈淺黃、綠(lv)、藍。