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名稱(cheng):碳化(hua)硅晶片(pian)(pian),發明人(ren):陳棟,簡介:碳化(hua)硅晶片(pian)(pian)是(shi)一種微細(xi)的(de)片(pian)(pian)狀(zhuang)單晶體(ti),直徑一般(ban)為3-300μm,厚度(du)(du)0.5-15μm。與晶須相比,晶片(pian)(pian)的(de)優點是(shi)價(jia)格(ge)較低、純度(du)(du)高。

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1、碳化(hua)(hua)硅(gui)的特性。與硅(gui)和砷化(hua)(hua)鎵GaAs為代表的傳統(tong)半(ban)導(dao)體材料相比,碳化(hua)(hua)硅(gui)C半(ban)導(dao)體在工作度、抗(kang)輻射、耐高擊穿電壓性能等方面具有很大(da)優勢(shi)。碳化(hua)(hua)硅(gui)C作為目前。

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碳化硅(SiC)晶(jing)片是第三代半(ban)導(dao)(dao)體(ti)器件的關鍵基礎材料(liao),在微(wei)電子、電力電子和半(ban)導(dao)(dao)體(ti)照(zhao)明器件等領域有著重(zhong)要的應用(yong)和廣闊的市(shi)場前(qian)景(jing)。目前(qian),SiC晶(jing)體(ti)生長及加工技術(shu)被國外。

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2013年(nian)8月(yue)16日-天富熱電(600509)旗下(xia)北(bei)京(jing)天科(ke)合達藍光半導體公司近(jin)期招聘(pin)晶(jing)體技工,為碳化硅晶(jing)片(pian)(pian)進一步研發生產鋪路。隨著下(xia)游LED行業回(hui)暖(nuan),公司今(jin)年(nian)將加大碳化硅晶(jing)片(pian)(pian)出貨量。

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雙重加熱法合成碳化硅晶片的研究_巖石礦物材料學_論文網

2007年(nian)7月(yue)26日-天富熱電首批新安裝的3臺碳(tan)化(hua)(hua)硅生(sheng)長爐調試運(yun)行(xing)正常,生(sheng)產(chan)出的碳(tan)化(hua)(hua)硅晶(jing)片(pian)產(chan)品已經下線并發貨給用戶。付云峰認為,這(zhe)標(biao)志著碳(tan)化(hua)(hua)硅產(chan)品從晶(jing)體(ti)生(sheng)長、切割。

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2008年1月28日-同(tong)時,在國(guo)內建(jian)立了一條完整的從切割(ge)、研磨到化學機械拋光(CMP)的碳化硅晶(jing)片中試生產線,建(jian)成了百級超(chao)凈(jing)室,開發出碳化硅晶(jing)片表面處(chu)理,清洗(xi)、封裝等。

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2009年4月22日(ri)-北京(亞洲金(jin)屬(shu))2009-4-22據(ju)悉,4月20日(ri),新(xin)疆天科合達藍光半導體有限公司對其2英寸6H導電型碳化硅晶(jing)片報出150-250美元/片的超低(di)促銷(xiao)價格(ge),給國(guo)際(ji)。

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2012年4月9日(ri)-清一色的(de)海外(wai)留學人員組成的(de)研發團隊和銷售團隊,歷時一年,量產了中(zhong)國(guo)首批3英寸和4英寸碳化硅(SiC)半(ban)導(dao)體外(wai)延(yan)晶(jing)片(pian),填補(bu)了國(guo)內該(gai)領域(yu)的(de)空白(bai)。近日(ri),位于火炬。

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摘要:常規加熱技(ji)術生(sheng)產的(de)(de)碳化(hua)硅(gui)晶片能耗大、成本高(gao),所(suo)以在國內外市(shi)場上碳化(hua)硅(gui)晶片的(de)(de)供應量少、價格高(gao),限制了(le)碳化(hua)硅(gui)晶片在復合材料中(zhong)的(de)(de)廣泛應用。采用粉末(mo)電(dian)熱體。

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粉末電熱體加熱法合成碳化硅晶片-《稀有金屬材料與工程》2008年

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