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2012年6月11日(ri)-碳化矽(xi)(SiC)半導體/電(dian)子設備(bei)(bei),與傳統(tong)的(de)(de)矽(xi)為基(ji)礎的(de)(de)半導體/電(dian)子設備(bei)(bei)設備(bei)(bei)制造(zao)商原料提供者晶(jing)圓/晶(jing)圓設備(bei)(bei)制造(zao)商研究機關附(fu)錄(lu)圖表。

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[圖文]在資(zi)金(jin)方面,由(you)於(wu)碳化矽(xi)材料的(de)成本約(yue)占(zhan)終(zhong)零(ling)(ling)組件(jian)(jian)成本的(de)40%以上,加上生產時需要特定的(de)設備(bei)與(yu)制程,因(yin)此對於(wu)零(ling)(ling)組件(jian)(jian)廠商來說(shuo)將形(xing)成一個強大的(de)資(zi)金(jin)障礙。圖二SiC零(ling)(ling)組件(jian)(jian)。

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市場報導:2007年碳化矽(SiC)晶圓將可達80萬片

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[圖文]在矽(xi)基(ji)板上面長晶(jing),這種方法的意義在于要(yao)降低(di)大尺寸晶(jing)圓在生產為LED時的成本機械性能差不(bu)(bu)易(yi)切割通過激光劃片所(suo)克服,很大的熱失(shi)配對外延層形(xing)成壓應力因而(er)不(bu)(bu)會。

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藍寶石碳化矽兩強相爭勝負未定,矽基板GaN基板可能會異軍突起

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[圖文]2012年11月29日-目(mu)前市場上LED用到的襯底材料有藍寶石、碳化(hua)(hua)矽(xi)可以采用IC廠折舊(jiu)的自動化(hua)(hua)矽(xi)工藝線,設(she)備折舊(jiu)而(er)矽(xi)襯底材料的生產技術(shu)已非常成熟(shu),大尺寸矽(xi)。

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(鐵氟(fu)龍、碳化矽、鉆石)鋁合金硬質(zhi)陽極處理。(HardAnodizing-硬陽處理)主要生產設備、環保(bao)設備及品檢儀器(qi):2002年(nian)11月(yue)參加廣州(zhou)第十(shi)六屆中國國際表面。

矽襯底GaN基LED技術與前景-21IC中國電子網

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